半导体器件

，并模拟推算出可创造23%转换效率的可能性。 然而，这种电池片面临严重的商业挑战并未被市场广泛接受。Triex电池片是一种基于隧道异质结结构的器件，这种结构整合了半导体行业用的隧道氧化层和传统的薄膜
索比光伏网讯:世纪新能源网报道：SolarCity宣布收购Silevo（赛昂）并建1GW光伏组件厂。赛昂称公司拥有一种被称为Triex的电池技术。既金属-绝缘体-半导体电池的衍生物，在20世纪

、红外激光器、红外发光二极管。此项研究成果发表在最新一期《自然材料》上。胶体量子点基于两种类型的半导体收集阳光：N型（富电子）和P型（乏电子）。但N型半导体材料暴露于空气中时，会与氧原子结合，失去其电子
型层，不仅能提高光的吸收效率，还打开了同时获得光捕获和电传导最佳性能的新型光电器件的大门，这也意味着可利用新技术开发出更复杂的气象卫星、遥控设备、卫星通信或污染检测仪。宁志军称，这仅是此项材料创新研究

索比光伏网讯:6月10日，南网能源公司在LED节能照明领域取得重要业务进展，正式与国内知名LED专业电源制造商茂硕电源科技股份有限公司（下称:茂硕电源）签署《LED关键器件代理协议》。这是该公司首次
和光伏逆变器代理等事宜达成合作。南网能源公司将发挥作为广东省半导体照明推广应用中心的平台优势，帮助茂硕电源推广技术先进、质量优良的LED节能产品。 据悉，茂硕电源是国内知名的专业电源制造商，已拥有100余项国家专利，具备较强的科技研发能力，部分产品具有世界领先水平。

索比光伏网讯:IGBT，学名绝缘栅双极晶体管，是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的CPU。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段，株洲所是我国唯一
全面掌握IGBT从芯片设计模块封装组件应用全套技术的企业，也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这，不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀，更

材料》上。宁志军博士展示喷涂了胶体量子点的薄膜实验样品胶体量子点基于两种类型的半导体收集阳光：N型（富电子）和P型（乏电子）。但N型半导体材料暴露于空气中时，会与氧原子结合，失去其电子，转变成P型材
光的吸收效率，还打开了同时获得光捕获和电传导最佳性能的新型光电器件的大门，这也意味着可利用新技术开发出更复杂的气象卫星、遥控设备、卫星通信或污染检测仪。宁志军称，这仅是此项材料创新研究的第一步，利用

于2005年，至今已向全球50多家企业投资超过1.8亿美元，主要面向清洁能源、半导体、显示、照明和能源储存等领域的设备、材料、器件和制程供应商。仅2013年，应用创投的投资规模就已超过1800万美元，其中六笔投资用于支持发展初期的技术型企业。

力发电系统质量检测中心认证，其转化效率达到14.4%，距2012年报道的12.78%转化效率又上了一个台阶，这标志着电工所在CdTe薄膜太阳能电池研究方面取得重要进展。CdTe为直接带隙半导体，室温带隙宽度为
产化设备和原料，制备出转化效率达到14.4%的CdTe电池，充分证明了只要研究好器件制备的工艺技术，就能做到国外相同的水平。这一研究成果为我国CdTe薄膜太阳能电池的研究和产业化奠定了基础，将使我国在

　　　三菱电机（www.MitsubishiElectric-mesh.com）今年以创新功率器件构建可持续未来为题，亮相于6月17至19日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014，特别
半导体硅片技术和封装技术的公司，积极发展碳化硅新材料的应用。目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是硅材料的性能利用已接近极限。与硅相比，碳化硅的禁带宽度是硅的3倍，临界击穿电场

项目、省教育厅项目、校级项目各1项。 　　因为参与了两个国家重点基础研究发展计划973项目高效光催化材料及其应用的基础研究、针对可编织光伏器件的无机半导体纳米薄膜的制备和性质研究，年近2013年，她从