,2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元,贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70
,公司大功率IGBT产品已小批量生产,国内大部分市场被欧美日企业占据,未来进口替代空间大。投资逻辑:从光伏制造到聚光电站,业绩有望高速增长。公司是逐渐向新能源转型的半导体公司,随着光伏行业回暖及高效硅片
索比光伏网讯:IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的CPU。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段,株洲所是我国唯一
全面掌握IGBT从芯片设计模块封装组件应用全套技术的企业,也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这,不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀,更
逆变器又称电源调整器,是一种由半导体器件组成的电力调整装置,主要用于把直流电力转换成交流电力。一般由升压回路和逆变桥式回路构成。升压回路把太阳电池的直流电压升压到逆变器输出控制所需的直流电压;逆变桥
外企业仍具有较大差距。
我国国内逆变器厂商进入者较多的领域是中小功率逆变器,其技术已与国外厂商处于同一水平。同时国内企业由于产能建设快,劳动力成本相对较低,在中小功率逆变器上具有较明显的竞争
随着全球环境问题的日益突显,人类社会对可再生能源的需求及意识正逐步加温,包括中国在内的许多国家已经将太阳能作为重点发展的新能源产业。英飞凌已连续十年稳居功率半导体市场榜首,是少数能为光伏逆变器提供从
控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一,其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等前沿技术以及丰富的
半导体硅片技术和封装技术的公司,积极发展碳化硅新材料的应用。目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造,但是硅材料的性能利用已接近极限。与硅相比,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,临界击穿电场
MPD的风电用MPDStacK。
作为全球首家掌握功率半导体硅片技术和封装技术的公司,三菱电机将积极致力于基于新材料的开发和应用,努力为电力电子业界奉献高性能和高可靠性的功率半导体模块
索比光伏网讯:意大利的可再生能源企业EGP(EnelGreenPower)于5月份宣布,该公司在南非的首座光伏电站已开始并网发电,该电站的输出功率为10MW。EGP是意大利最大的电力公司意大利
国家电力集团的子公司。该电站位于南非开普省的阿平顿,预计年发电量为20万千瓦时,相当于南非约1000户家庭的年用电量。EGP今后还计划在南非建设总输出功率超300MW的光伏发电系统。为实现这一计划,该公司
意大利的可再生能源企业EGP(Enel Green Power)于5月份宣布,该公司在南非的首座光伏电站已开始并网发电,该电站的输出功率为10MW。EGP是意大利最大的电力公司意大利国家电力集团的
子公司。
该电站位于南非开普省的阿平顿,预计年发电量为20万千瓦时,相当于南非约1000户家庭的年用电量。
EGP今后还计划在南非建设总输出功率超300MW的光伏发电系统。为实现这一
晶体硅组件产业链的始终。材料,是主产业链的配套供应链,却盘根错节,影响深远。以硅基技术延伸业务硅是自然界中含量最丰富的元素之一,半导体行业的应用证明了硅的持久耐用及优良性能,正是这种材料,使得制造商能够
莱茵硅胶双玻技术认证证书的430双玻组件,采用了道康宁PV-6212作为电池封装材料,此款组件倡导的性能包括40年寿命、0.3%年均功率损耗衰减、无(0)PID,对经济性、耐久性、有效性和可靠性有更高的
的太阳能解决方案。随着全球环境问题的日益突显,人类社会对可再生能源的需求及意识正逐步加温,包括中国在内的许多国家已经将太阳能作为重点发展的新能源产业。英飞凌已连续十年稳居功率半导体市场榜首,是少数能为
光伏逆变器提供从控制器到电力电子在内的完整的解决方案的半导体供应商之一,其综合产品组合为太阳能应用提供最佳效率和可靠性。英飞凌凭借超结MOSFET、沟槽栅场终止技术的IGBT、无磁芯变压器驱动器等
太阳能电池板安装的多样性,同时为了使太阳能的转换效率最高同时又兼顾建筑的外形美观的缘故。有关逆变器分类的方法很多,例如:根据逆变器输出交流电压的相数,可分为单相逆变器和三相逆变器;根据逆变器使用的半导体
器件类型不同,又可分为电晶体逆变器、晶闸管逆变器及可关断晶闸管逆变器等。目前通用的太阳能逆变方式为:集中逆变器、组串逆变器,多组串逆变器和组件逆变(微型逆变器)。*集中逆变器集中逆变器设备功率在