刻蚀

上进行P型掺杂。 常见的定域掺杂的方法包括掩膜法，可以通过光刻的方法在掩膜上形成需要的图形，这种方法的成本高，不适合大规模生产。相对低成本的方法有通过丝网印刷刻蚀浆料或者阻挡型浆料来刻蚀或者挡住
不需要刻蚀的部分掩膜，从而形成需要的图形。这种方法需要两步单独的扩散过程来分别形成P型区和N型区。另外，还可以直接在掩膜中掺入所需要掺杂的杂质源(硼或磷源)，一般可以通过化学气相沉积的方法来形成掺杂的掩膜

开槽线宽及开槽线型，探究不同开槽形貌条件下的电池片性能。 3.3实验工艺流程 1. 原硅片经过成熟的常规工艺制绒、扩散、刻蚀及氧化后;在硅片背表面生长一层厚度约5～8nm的Al2O3; 2. 本

2017年5月开工、2017年10月投产，浙江爱旭太阳能科技有限公司在义乌这片商业沃土生根发芽，不到三年，就快速成长为义乌最大的工业企业之一。扩散制绒、激光刻蚀、丝网印刷每天，经过多道复杂工艺制作

覆盖一层氮化硅膜作为保护层。为使背面金属电极与硅形成良好的欧姆接触，需要对钝化层进行刻蚀，目前主流工艺采用激光开槽的方式来完成这一工序。 PERC 技术日趋成熟
，TOPCon 电池生产工 艺的改变主要在于：增加了隧穿氧化物沉积、多晶硅沉积、硼扩工序，同时需增加湿法刻蚀步骤来应对非晶硅的绕 镀问题。理论上，TOPCon 技术仅需在现有产线基础上增加薄膜沉积设备

企业，并多次荣获当地政府的和谐企业、优秀企业等荣誉。 公司主要产品有插片清洗一体机、单晶制绒清洗机、制绒自动上下料机、链式湿法刻蚀清洗机、刻蚀自动上下料机等。公司具有多年的清洗设备研发、生产经验

行业内口碑，充分听取各领域专家、学者意见，并广泛调研行业上下游反馈。 获奖企业介绍 江苏微导纳米科技股份有限公司是一家面向全球的高端设备制造商，专注于先进薄膜沉积和刻蚀装备的开发、设计、生产和服务
。微导的业务涵盖新能源、柔性电子、半导体和纳米技术等工业领域。 微导总部设在江苏无锡，由精英企业家和技术专家团队共同创立。微导的核心技术是先进的原子层沉积(ALD)和反应离子刻蚀(RIE)装备

分别为7.2%，5.9%，5.0%。 捷佳伟创公司主营业务为PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备、自动化配套设备等太阳能电池片生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售。截至2020年03月11日，该公司股东人数(户)为15583，较上个统计日减少3512户。(完)

黑硅PERC 多晶太阳电池采用背抛光工艺，其背面刻蚀深度在4.00.2 m，在800～1050 nm的光学波长范围内，其反射率较常规刻蚀制备的黑硅多晶太阳电池提升了10% 左右;采用氧化铝及氮化硅
Sigma 300 SEM 场发射扫描电镜、I-V 测试设备Berger PSS10。 1.2 制备流程 采用氧化铝浆料制备黑硅PERC 多晶太阳电池的工艺流程为：①黑硅制绒②扩散③刻蚀去PSG ④背面

) 化学回蚀清洗技术 采用缓冲型化学回蚀体系，反应速度精确可控，同时化学回蚀溶液具有差异化刻蚀功能，可有效保持重掺杂和轻掺杂区域的方阻梯度; 4) 异质膜钝化减反技术 电池正表面减反膜采用多层介质
perc+se 产线兼容，现有产线可升级改造至 TopCon产能。TopCon 生产流程分为 9 步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD 沉积氧化铝

过头的现象使Hfe偏大； （5）表面漏电或可动离子密度过高，会使小电流Hfe偏小。提高小电流Hfe的方法通常是采取通H2合金； 3.电阻呈非线性 电阻呈非线性主要是由于铝引线的接触不良引起的，通常的工艺原因是引线孔刻蚀不净，有残膜（氧化膜或残胶等）。