制绒

保证多晶硅片的市场竞争力，包括：多晶硅片在PERC技术中仍然会得到广泛的应用；RIE等新的硅片表面制绒技术将使金刚线切片很快地应用到多晶硅片中来；高效多晶还有提升效率的空间；类（全）单晶仍然可能获得发展

发现当氧化层厚度超过2nm后，其隧穿效应就开始显著下降，影响填充因子。 具体到电池工艺方面，Fraunhofer ISE采用n型FZ硅片，正面采用普通金字塔制绒，硼扩散，ALD氧化铝加PECVD
微晶硅形态。但由于正面并未制绒，以及类似HIT电池中的正面ITO和微晶硅层的吸收，其短路电流只有31.6mA/cm2，效率17.3%。不过研究人员还特别对比了正面多晶硅和微晶硅的吸收，同厚度的微晶硅的

多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹
；　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为

金刚线切片工艺，而多晶硅片目前已克服多晶金刚线硅片制绒技术难题。在金刚线切片技术上，单晶硅片已占有领先优势，但是阿特斯的湿法黑硅技术为金刚线线切在多晶切片领域的大面积推广铺平了道路，多晶也可以应用金刚线
切片。单晶VS多晶，单晶略胜一筹;　　　　图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术　　四、电池环节　　单晶的转换效率高于多晶，但是目前P型多晶量产效率也即将突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶

多晶电池效率的提升受制于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞;而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%(绝对值)。降低表面反射率是提高

1、引言多晶电池效率的提升受制于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞；而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%（绝对值）。降低

于表面反射率的降低。常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞；而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%（绝对值）。降低表面反射率是提高多晶电池效率的

是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升，这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段，背电场电池(BSF)技术、浅结结构、绒面技术、密栅金属化是这一
。化学腐蚀工艺是最成熟的产业化生产技术，也是行业内最广泛使用的技术，工艺门槛低、产量大;但绒面质量不易控制、不良率高，且减反射效果有限(腐蚀后的反射率一般仍在11%以上)，并产生大量的化学废液和酸碱

输出功率世界记录，经第三方TUV Rheiland（莱茵）权威认证机构测试，其峰值输出功率（Pmax）高达335.2Wp。此外，Honey组件所使用的抗反射玻璃涂层及先进的电池片制绒技术，可以更好地捕捉