,多晶的对比优势在缩小。三、切片成本对比多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点,且有多晶金刚线切片制绒技术难题,对金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的
反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题,但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中,仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片
下降。因此,铸锭与拉晶成本对比,单晶VS多晶,多晶勉强维持着一定的相对优势,多晶的对比优势在缩小。
三、切片成本对比
多晶硅由于材料内部存在晶界和硬质点,且有多晶金刚线切片制绒技术难题,对金刚线
切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题,但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等
企业集团平煤神马集团大刀阔斧挺进太阳能单晶电池生产领域。在电池片制造工艺环节,单多晶都是沿用相同的工艺环节,制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结,其他环节都是控制标准的差异, 区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用
企业集团平煤神马集团大刀阔斧挺进太阳能单晶电池生产领域。在电池片制造工艺环节,单多晶都是沿用相同的工艺环节,制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结,其他环节都是控制标准的差异, 区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用不同制绒机
企业集团平煤神马集团大刀阔斧挺进太阳能单晶电池生产领域。在电池片制造工艺环节,单多晶都是沿用相同的工艺环节,制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结,其他环节都是控制标准的差异, 区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用
都是沿用相同的工艺环节,制绒扩散蚀刻镀膜丝网印刷烧结,其他环节都是控制标准的差异,区别主要在硅片制绒环节。单多晶采用不同制绒机,单晶采用碱溶液腐蚀,多晶采用酸溶液腐蚀,其他基本一致。也就是说,在电池
大幅下降,下降幅度可达20%左右,导致单晶、多晶硅片的成本差在0.25元/Wp左右。 金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后,单晶
/Wp左右。金刚线切割多晶硅片的黑硅制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后,单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明,湿法黑硅技术可在普通电池工艺
公司已将低反射率单、多晶硅片制绒技术、发射极掺杂控制技术、电池背反射光技术、抗反射膜复合层叠技术、丝网印刷金属化技术等前沿生产技术应用于大规模生产。2016年1月多晶硅、单晶硅电池片量产的平均光电转换
制绒技术目前接近产业化的主要有湿法和干法两种。在黑硅技术成为电池厂家标配后,单晶、多晶电池的前表面反射率差异将被抹平。电池厂家数据表明,湿法黑硅技术可在普通电池工艺上提升效率0.2~0.3%,干法可