位于新加坡国立大学(NUS)的新加坡太阳能研究所(SERIS)的研究人员宣布,他们开发出一种用于金刚线多晶硅片切割(mc-Si)后纳米级制绒的成本极低的技术。
新加坡太阳能研究所指出,由于现有蚀刻
工艺价格昂贵并且会降低转换效率,广泛使用的金刚线多晶硅片切割受到限制。反应离子蚀刻(RIE)并非低成本工艺,而金属催化化学蚀刻(MCCE)技术会增加金属颗粒污染物。
新加坡太阳能研究所DWS硅片制绒
采用p 型多晶硅片(156 mm156 mm),彩色多晶硅太阳电池样品的制备流程如图1 所示。所有样品经多晶硅太阳电池生产的常规工艺进行制绒、扩散、刻蚀后,用板式PECVD 调节一次性镀膜工艺,在
硅片正面沉积蓝色、金黄色、紫红色和绿色的氮化硅减反膜,并通过腐蚀去除印刷区域一定厚度的氮化硅减反膜,然后清洗和甩干,再经过印刷烧结,分别制得蓝色、金黄色、紫红色、绿色共4 种颜色的彩色多晶硅太阳电池
,在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层,然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽,再用弱碱清洗激光损伤层。
这样,在扩散时,没有开槽的区域由于氧化层的阻挡作用形成浅扩,开槽的
;
(2) 金字塔绒面需控制得比较小而均匀;
(3)如采用电镀Ni作为种子层,还要经过一道低温烧结工序,这一烧结工艺也需控制得很好。因为根据Ni/Si合金相图,期间形成的欧姆接触的温度区间较小
综合成本30%。
多晶应用金刚线切割后的硅片,应用在电池环节存在瑕疵(后采用制绒工艺解决这一问题)。单晶不存在这一问题,单晶的代表厂商隆基绿能2015年末完成了金刚线改造,多晶的代表厂商保利协鑫完成
了单晶的优势。
光伏产业链的这一系列技术变革,导致多晶硅片在金刚线革命上落后于单晶,随着PERC电池技术的兴起,直接导致金刚线切割常规多晶硅片+PERC+黑硅(即制绒工艺)无法与金刚线切割常规
制备方案。
该方案要点是,在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层,然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽,再用弱碱清洗激光损伤层。
这样,在扩散时,没有开槽的区域由于氧化层
权衡,并且稳定控制才能达到生产需求;
(2) 金字塔绒面需控制得比较小而均匀;
(3)如采用电镀Ni作为种子层,还要经过一道低温烧结工序,这一烧结工艺也需控制得很好。因为根据Ni/Si合金相图,期间
综合成本30%。
多晶应用金刚线切割后的硅片,应用在电池环节存在瑕疵(后采用制绒工艺解决这一问题)。单晶不存在这一问题,单晶的代表厂商隆基绿能2015年末完成了金刚线改造,多晶的代表厂商保利协鑫完成
了单晶的优势。
光伏产业链的这一系列技术变革,导致多晶硅片在金刚线革命上落后于单晶,随着PERC电池技术的兴起,直接导致金刚线切割常规多晶硅片+PERC+黑硅(即制绒工艺)无法与金刚线切割常规
提升单晶制绒良率,有效增加光线吸收率,大幅提升光电转换效率超过21%。并且使用红外线穿透式热传导百点熔接法的无缝隙技术,卡匣可防止在热涨冷缩的制程中酸碱溶液渗入、预防化学品交叉污染等问题。
据了解
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