制备方法

单晶铸锭，研究的准单晶铸锭技术制成的晶枫电池最高转换效率达19%以上。江西赛维的陈红荣等过在坩埚底部铺设籽晶，提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片，并申请了专利。中国电子科技集团公司第二研究所的
效率。沈维根等在坩埚底部分别制备硅粉、无机陶瓷胶的混合物涂层和氮化硅粉、无机硅溶胶、去离子水的混合物涂层，制成的太阳能电池转换效率也得到提升。王梓旭等发现采用掺钡高纯隔离层能有效阻挡杂质污染硅锭，改善铸锭中

膜的方法，由于减反膜较厚，目前行业市场化的正面电极银浆无法穿透氮化硅减反膜而到达p-n 结，使正面银浆与硅基体不能形成良好的欧姆接触。因此，本文彩色多晶硅太阳电池在制备过程中最重要的工序是腐蚀，即在
通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池，但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题

提高功率转换效率，研究人员发现，通过化学气相沉积的方法将石墨烯分层制成透明电极，电极的片状电阻进一步降低，而电极的特殊透明性得以保留。 最后，通过提高顶部石墨烯电极与钙钛矿薄膜空穴传输层之间的接触
程度，进一步提高了器件的性能。 研究人员表示，由于石墨烯极具弹性，加上细胞制备简便，理大的装置可直接印刷或采用辊对辊工艺进行大规模生产。 通过这种方式，半透明太阳能电池很可能会在目前还没有传统不透明设备提供服务的市场上提供更多的光伏板。

研究了MACl添加剂在基于FAPbI3的钙钛矿太阳能电池中的作用。与不含添加剂制备的薄膜相比，使用各种含量制备的薄膜中的晶粒尺寸更大。有趣的是，MACl有效地稳定了纯-FAPbI3的中间体,从获得高
FAPbI3 研究发现，钙钛矿薄膜的晶粒尺寸与掺入的MACl的量直接相关。图1A显示了采用不同添加量的MACl制备的薄膜SEM图(40mol%表示为MA-40)。在没有添加剂的情况下晶粒尺寸约为250

刻法 此为Scht的turnkey line制备方案。该方案要点是： (1)使用inkjet printing方法在重扩硅片(约40/sqr)上打印与前栅线图案一样的有机材料掩膜(约300nm
(n++ - n+)高低结，和传统结构相比，还可提高开路电压。 一次扩散SE电池制备方案 氧化层淹膜扩散印刷法 此为Centrotherm的turnkey line制备方案。 该方案要点是

结构和光电特性调控方法;大面积高效率高稳定性器件制备技术;组件精密切割与连接技术。 考核指标：解决大面积钙钛矿电池稳定性问题，获得稳定大面积钙钛矿电池关键技术及成套技术;大面积钙钛矿太阳电池效率19
关键技术及成套技术研发(共性关键技术类) 研究内容：为探索大面积太阳电池制备技术，开展稳定大面积钙钛矿电池关键技术及成套技术研发。具体包括：大面积薄膜制备技术;大面积薄膜缺陷调控技术;大面积功能层界面

较高。 二、四主栅IBC电池 其特点是可使用常规焊接的方法制作组件，精度要求低，无需专门设备，适用性强。但在电池制备过程中需要印刷绝缘胶和主栅，电池工序相对复杂。 三、点接式IBC电池 其特点是
Emitter的作用是与n型硅基底形成p-n结，有效地分离载流子，可以通过硼扩散或旋涂的方式制备;背面BSF主要是与n型硅形成高低结，诱导形成p-n结，增强载流子的分离能力，可通过磷扩散或离子注入形成

制备方案。 该方案要点是，在清洗制绒后通过热氧生长的方法在硅片表面形成一层较薄的氧化层，然后根据丝网印刷前电极的图案在氧化层上开槽，再用弱碱清洗激光损伤层。 这样，在扩散时，没有开槽的区域由于氧化层
; (2)丝网印刷二次对位精度要求较高。 5、返刻法 此为Schmidt的turnkey line制备方案。该方案要点是： (1)使用inkjet printing方法在重扩硅片(约40

技术升级和工艺改造，实现了低成本制备，这也成为了赛维核心竞争力之一。为了实现高效率、高性价比的目标，赛维组织了大量高精尖团队进行连续攻关，取得了铸锭单晶技术的重大突破。在近期SNEC展上，赛维推出
还发布了拥有自主知识产权的十九项核心铸锭单晶专利，其中包括一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法、铸锭炉热场等专利，这显示出赛维在铸锭单晶领域的领先地位。 甘胜泉表示：科技创新是企业的核心竞争力

，伴随着制氢技术的不断发展。目前工业上制备氢气的方法可分为：煤气转化;热化学法;生物制氢;电解水制氢;生物质热解技术等。其中，使用化石燃料作为主原料的煤气转化法，占世界氢气制备总量的96%。 虽然