制备方法

索比光伏网讯:在太阳电池制备中，扩散是一道重要工艺，其主要目的就是形成Ｐ－Ｎ结。对硅进行扩散的典型做法是将硅片置于高温石英管中（通常为８００℃～１２００℃范围），并通入含有待扩散元素的混合气体。在
目前的太阳电池工艺中，通常采用已经掺杂了一定量的硼的Ｐ型硅片作为原料，在硅片的一面通过扩散磷来形成Ｐ－Ｎ结，采用三氯氧磷（ＰＯＣｌ３）作为扩散源提供磷原子。常用的扩散方法为石英管中进行的闭管液态源

技术在非硅衬底上制备晶粒较小的多晶硅薄膜的一种方法。该薄膜是一种p-i-n结构，主要特点是在p层和n层之间有一层较厚的多晶硅的本征层（i层）。其制备温度很低（100～200℃）。日本科尼卡公司在
1994年提出这一方法，目前用这种方法制备的电池，试验室最高效率已达10.7％。薄膜沉积后，采用激光设备对沉积膜进行高速、精确地划刻。随着技术的发展，激光作为一个功能强大的生产性工具，已广泛应用于制造、表面

、激光刻槽、等离子刻蚀（ＲＩＥ）和各向同性酸腐蚀。机械刻槽的工艺方法要求硅片厚度在２００ｍ以上，因为刻槽的深度一般在５０ｍ的量级上，所以对硅片的厚度要求很高，而这样的技术会增加成本。等离子刻蚀制备出硅片
，采用碱溶液的各向异性腐蚀，即可以在其（１００）面得到理想的绒面结构；而多晶硅由于存在多种不同晶向，采用上面的方法无法获得均匀的绒面，也不能有效降低多晶硅的反射率。目前，多晶硅绒面技术主要有机械刻槽

未来发展的趋势。目前，多晶硅薄膜常用的制备方法有等离子体增强化学气相沉积，热丝化学气相沉积，准分子激光晶化，固相晶化，快速热处理等。现有研究采用真空蒸镀法制备非晶薄膜后经铝诱导晶化得到多晶硅薄膜。相比其它方法

温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加热和电池制备过程中容易再次硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2-4h，使硅锭温度均匀，减少热应力。6.冷却硅锭在炉内退火后，关闭加热功率

都采用深结而不是浅结。浅结电池已成为历史。 　　PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83％的填充
往返多次。Sandia国家实验室的P。Basore博士发明了一种红外分析的方法来测量陷光性能，测得PERL电池背面的反射率大于95％，陷光系数大于往返25次。因此PREL电池的红外响应极高，也特别适应

而不是浅结。浅结电池已成为历史。PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83％的填充因子和20．8
。Basore博士发明了一种红外分析的方法来测量陷光性能，测得PERL电池背面的反射率大于95％，陷光系数大于往返25次。因此PREL电池的红外响应极高，也特别适应于对单色红外光的吸收。在1．02m波长

配套的测试服务及技术等我国更是远远落后于发达国家，一些先进的测试方法和技术则基本掌握在欧美等发达国家手中。目前，我国已经是光伏制造大国，具备雄厚的基础;然而，要想进一步成为光伏强国就必须掌握核心技术
我国光伏产业来说，一些新型材料、智能电网技术等理论性、基础性强的研究，还有一些通用的制备技术及前沿性技术可以由政府组织高校和科研机构来完成;而镀膜设备、自动丝网印刷机等制造设备和制造技术则可由行业或企业来完成

处于空白状态。而配套的测试服务及技术等我国更是远远落后于发达国家，一些先进的测试方法和技术则基本掌握在欧美等发达国家手中。目前，我国已经是光伏制造大国，具备雄厚的基础;然而，要想进一步成为光伏强国
我国光伏产业来说，一些新型材料、智能电网技术等理论性、基础性强的研究，还有一些通用的制备技术及前沿性技术可以由政府组织高校和科研机构来完成;而镀膜设备、自动丝网印刷机等制造设备和制造技术则可由行业或企业来完成

单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳能电池方面，是单晶硅的主题。与区熔单晶硅相比，直拉单晶硅的制造成本相对较低，机械强度较高，易制备大直径单晶。所以，太阳能电池领域主要应用直拉单晶硅，而不是区熔单晶硅
。图1单晶炉直拉单晶硅的制备工艺一般包括：1、多晶硅的装料和熔化2、种晶3、缩颈4、放肩5、等径生长6、收尾等1、多晶硅的装料和熔化首先将高纯多晶硅粉碎至适当的大小，并在硝酸和氢氟酸的混合酸液中清洗