冷却

和背场的硅片经过网印刷机的传送带传到烧结炉中,经过烘干排焦、烧结和冷却烘干排焦、烘干排焦烧结和冷却过程来完成烧结工艺最终达到上下电极和电池片的欧姆接触。①烘干排焦一在网带的上、下都装有加热带，由温控仪
上保温层，在外层还覆盖有双层的铝反射板，有效延长了灯管的使用寿命。③冷却冷却盒子是一个可循环的盒子，为了冷却电池片和皮带，运送冷却水的管道安装在皮带的上部和下部。冷却风扇分别安装在循环水管道的上方和下方

产业，正处于高速扩张之后的冷却和转型时期。在未来的发展中，只要在现有规模上做好做精，做好环境污染的控制，这个产业的未来就可以进入到良性的循环阶段，不会出现大的问题。针对外界所质疑的：欧美发达国家大力发展

、0.7cm/h的速度打开至20cm，达到稳定长晶。将上述长成后的硅晶体，经退火、冷却得到硅锭，所得硅锭开开方得25块小方锭，通过观察发现籽晶剩余约15～20mm未熔化，晶体顺延籽晶方向上继续生长。硅锭

系统不稳定导致张力臂位置异常，有时候会复位失灵，工作台液压系统问题，循环冷却水冷却回路电磁阀故障，电源电压过低，上下砂浆冷却循环温度报警，砂浆回流缸功率模块报警，空压机不稳定引起的压缩空气异常报警等。ｃ

，关键减生长缺陷；生长后期，硅锭大部已形成，需降温度梯度，减少位错及亚晶界生长。关键减应力位错。冷却退火过程需改进，位错主要在生长过程出现，退火可能可以不做。晶界一致性Coherence和梯度控制类单晶
界面平，同时可以降纵向温度梯度。即降TC1，升TC2。目前的工艺TC1温度高，TC2温度低。特别是后段。可以在最后段开始升TC2，降TC1完成长晶。之后接上冷却段。高效多晶和类单晶铸锭现状1、略修改炉子

在减反射膜表面聚集；3玻璃料腐蚀穿过减反射膜；4玻璃料通过与Si发生氧化怀远反应产生腐蚀坑；Pb+SiPb+SiO25银颗粒在冷却过程中于腐蚀坑处结晶：（1）与PbO和Si发生的氧化还原反应类似，玻璃
中的Ag2和Si发生如下反应：Ag2+SiAg+SiO2（2）Ag和被腐蚀的Si同时融入玻璃料中。冷却时，玻璃料中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在Si表面随机生长。（3）在烧结过程中通过

进行切割的，所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。1、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同，因而对砂浆的粘度也不同，即要求切割液的粘度也有不同。例如瑞士线切割
砂浆的钢线在切割硅料的过程中，会因为摩擦发生高温，所以切割液的粘度又对冷却起着重要作用。如果粘度不达标，就会导致液的流动性差，不能将温度降下来而造成灼伤片或者出现断线，因此切割液的粘度又确保了整个过程

还原炉内表面发生气相沉积，也为维持炉体的机械强度，整个炉体的内表面需要用冷却液进行冷却。而电加热高温硅棒与炉体内表面之间的巨大温差使得大量的热能通过冷却表面损失掉，还原过程中需要对硅棒进行持续
建设成本是年产量1500吨工厂的一半。这跟传统化工厂的CAPEX情况类似，因为多晶硅厂的蒸汽、冷却水、氢气等的供给及循环利用装置、精馏提纯装置、尾气回收装置、热能回收装置、凝水回收装置、控制系统的

控制过程要求很高。一种方法是使用底部开槽的坩埚。这种方式的要点是精密控制定向凝固时的温度梯度和晶体生长速度来提高多晶晶粒的尺寸大小，槽的尺寸以及冷却速度决定了晶粒的尺寸，凹槽有助于增大晶粒。因为需要控制

无一不是会议的议题内容。会议还将对太阳能领域进行全方位地探讨，从国际市场的现状与发展到最新的技术与趋势等。讨论将围绕太阳能技术相关话题展开，例如工程进程用太阳能、太阳能冷却与太阳能加热理念等。今年会议的
、更新生产设备与手段，并讨论最新的趋势和技术。 六场研讨会的内容将涵盖原材料、生产设备、产品创新、自动化、镭射系统、光学检查与设计等领域。 太阳能技术：大规模加热与冷却 2012年6月12日