光衰

硅片制造的光伏电池具有较低的光衰（LID），具有不切角正方形表面的硅片相比准正方形的传统单晶硅片具有更大的发电表面积。其结果是，该组件的效率与掺硼单晶硅片的光伏组件效率不相上下

MonoCast晶圆制造的电池具有较低的光衰（LID），具有不切角正方形表面维度的晶圆相比准正方形的传统单晶硅晶圆具有更大的发电表面积。其结果是，该模块的效率与结合批量单晶硅晶圆的模块效率不相上下。 DSS450

涅尔透镜，这种材料最好的生产厂家是德国。其公司号称该材料10年光衰小于10%，20年小于20%。但由于该材料表面较软（禁不起风砂和清洗打磨），光衰的条件前提不确定性很大，因此，光学系统的寿命是否能保证

10年光衰小于10%，20年小于20%。但由于该材料表面较软（禁不起风砂和清洗打磨），光衰的条件前提不确定性很大，因此，光学系统的寿命是否能保证20年有待观察（毕竟没有先例），而这种材料还有个致命的弱点

优势，光衰率远优于传统单晶硅片。采用鑫单晶的高功率电池和组件，可大幅降低太阳能发电成本10%以上。同时，由保利协鑫自主研发的先进铸锭硅系统GCL-ASCS-880的投入使用，使鑫单晶得以全面量产

接近传统直拉硅单晶，最高测得18.5%。同时鑫单晶光衰率远优于直拉硅单晶，平均低1个百分点以上。鑫单晶另一显著特点是其低成本。其生产成本远低于直拉单晶硅，而与定向凝固多晶硅锭生产成本相近，可降低

此扩大双方在料源优先采购、代工合作等太阳能相关领域的战略合作。 “鑫单晶”是保利协鑫科技创新战略主导下的新产品之一，其具备优质的高转换效能(接近传统单晶硅片)和极具竞争力的成本优势，光衰率远优于传统

)太阳能组件。这一极具性价比优势的新型硅片，或将改变当前全球硅片市场的结构。据了解，鑫单晶转换效率接近传统直拉硅单晶，最高测得18.5%。同时鑫单晶光衰率远优于直拉硅单晶，平均低1个百分点以上。鑫单晶

优势的新型硅片，或将改变当前全球硅片市场的结构。 据了解，“鑫单晶”转换效率接近传统直拉硅单晶，最高测得18.5%。同时“鑫单晶”光衰率远优于直拉硅单晶，平均低1个百分点以上。“鑫单晶”另一

索比光伏网讯:毫无疑问，单晶硅与多晶硅光伏电池发电是当前光伏发电的主流技术，但这两者均存在一定的发展瓶颈及缺陷。单晶硅电池虽然具备晶体缺陷少、织结构工艺下反射率低、机械强度高等优势，但其成本较高、光
衰严重、电耗也高。多晶硅电池较单晶硅电池相比能耗少、衰减低、成本低，不过转换效率较差。两种晶体硅电池均存在不同程度的局限性，而对于快速发展力求平价上网的光伏产业而言，不断研究探索新技术、新产品，提高