光衰
。他认为，铸锭单晶产品兼具多、单晶技术优点，和Cz单晶相比，将为客户带来更多价值。
黄春来认为，多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以
采用碱制绒工艺，采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。下游客户使用反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18%，而成本大幅降低。
铸锭单晶产品的低光衰源于铸锭工艺特性和掺镓
，在基底中捕获电子形成复合中心，从而导致3~4%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型双面则与PERC双面不同，基底掺磷，没有硼氧对形成复合中心的损失，使得电池几乎无光
、无光衰、弱光性能好、温度系数良好、对金属杂质容忍度高等等。
少子寿命高
金属杂质是半导体中常见的杂质之一，而N型基底的抗杂质能力很强，对铁、铜等常见金属杂质的容忍度更高，也就是说在相同金属
对电池板表面的污染，使其保持清洁，减少光衰，并提高发电率1.5%～3%。 为了增加玻璃的强度，抵御风沙冰雹的冲击，起到长期保护太阳能电池的作用，我们对面板玻璃进行了钢化处理。首先将水平钢化炉将玻璃
及其双玻组件、低光衰高效率背面钝化单晶硅太阳电池及组件等多项产品以及技术加快了光伏评价上网的步伐。 苏州腾晖光伏2017年与四川大学谢凌志教授签订科技副总协议，期间，谢教授协助腾晖在村镇民居嵌入式
摘要：掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题，研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m2光照下200 ℃保温10 min进行再生处理，结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%，电池效率衰减率为4.32%，再生处理后样品的衰减率分别降低至5
越来越多的工作关注并致力于解决PERC光致衰减问题，现有的通过提高硅片品质，降低体材料氧含量，降低硼浓度(高电阻率硅片)，优化热过程等方法，已使得PERC电池光致衰减问题得到了较大改善。
光衰
(LID)
P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。
单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池，单晶PERC的光衰主要与电池
摘要：随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高，其光衰也随之提高，成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。本文介绍了近年来对掺硼晶硅太阳电池的光衰减问题及衰减机制，指出硼与间隙氧的存在是引起掺硼晶硅太阳电池光照
衰减的主要因素，并对如何减小或避免光衰减的改善措施进行了分析。
晶体硅太阳电池是最重要的光伏器件，近年来一直是硅材料研究界和光伏产业界的重点关注领域。众所周知，常规的晶体硅太阳电池都是基于P型掺硼硅
，也有可能是电池生产工艺的问题。
对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现黑斑。
3
结果与讨论
3.1EL黑斑
通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的黑斑片
