光衰
技术在更多应用场景性价比的最重要的选择，而铸锭单晶的发展是必由之路。万跃鹏博士认为，保利协鑫鑫单晶产品经过多年技术升级，已经具备以下四大优势：一是更低氧含量、更低光衰，鑫单晶氧含量6ppm，直拉
直拉单晶每公斤电耗低20多度，转换成每瓦少耗电0.06度。碳足迹在很多海外市场是重要的指标。综上因素，鑫单晶G3PERC电池量产效率和组件输出功率与直拉单晶基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件
基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件实现同瓦输出。鑫单晶拥有更窄的电阻率分布，有利于PERC电池效率提升和N型硅片;全方形硅片无倒角，适用于叠片和拼片组件，外观更好;碳足迹更低，是更加绿色产品
CZ单晶有非常明显的优势，光衰更低，有更好的功率输出。并且和CZ单晶相比，铸造单晶每公斤电耗更低，生产过程碳足迹更低，更好地诠释了绿色能源，绿色生产和能源循环经济的理念。
杜邦
Tedlar
明星产品熊猫升级版。使用高效率n型TOPCon电池，可大大提高组件正背面的功率达405瓦。并叠加多主栅及半片技术，使有效受光量得到更大增益，串阻损失降低、提升组件功率。
古瑞瓦特
商用新品，掘金
它将给市场和用户带来更具性价比的解决方案。
在此次展出的高效技术中，东方日升创新推出的HDT异质结组件也尤为瞩目。HDT电池技术具备减少阴影遮挡损失、温度系数稳定、优异的抗PID性能以及卓越的抗光衰
性能，可有效提升组件发电的可靠性以及发电效率。基于这一双面受光异质结电池技术，HDT异质结电池组件可以实现双面发电，并可为组件获得10%~30%的额外发电收益。
未来，我们将继续围绕 每当东方日升
单晶基本相同，如考虑光衰方面优势，和直拉单晶组件实现同瓦输出;鑫单晶拥有更窄的电阻率分布，有利于PERC电池效率提升和N型硅片;全方形硅片无倒角，适用于叠片和拼片组件，外观更好;碳足迹更低，是更加绿色
%以内，组件效率差距在5W以内，同时光衰仅为直拉单晶的50%。更低的间隙氧含量，助力更低的光衰;硅片电阻率分布更加集中，利用电池新工艺，可以在现有基础上再增加光电效率0.2%以上;籽晶回用技术这一黑科技
新一代铸造单晶硅片可达到和CZ单晶同样的组件功率。同时铸造单晶的电阻率分布可以控制得更窄，氧含量6ppma的水平相比CZ单晶有非常明显的优势，光衰更低，有更好的功率输出。并且和CZ单晶相比，铸造单晶每公斤
一半左右(图5)。这意味着铸锭单晶电池的光衰一定优于直拉单晶电池。而对于LeTID，即高温光致衰减这一近年来在PERC电池中发现的独特现象，目前尚无明确的机理，公认为单晶、多晶都存在这一问题，其检测标准
铸锭单晶只有该数值的一半左右(图5)。这意味着铸锭单晶电池的光衰一定优于直拉单晶电池。而对于LeTID，即高温光致衰减这一近年来在PERC电池中发现的独特现象，目前尚无明确的机理，公认为单晶、多晶都
市场有重大影响的差异化产品。
根据协鑫集成公布的最新进展，铸锭单晶拖尾、EL、光衰以及三类片的分布等问题已经逐步解决，尾部低效的分布大量减少，高效分布比例可达70%以上。成功的关键在于采用了新的籽晶
不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，很好解决光衰问题。
但区熔单晶的工艺比
