复合对,光致衰减较P型硅片大幅改善【2】,且其少子为带正点的空穴,一些常见的金属离子例如Fe+,Cu+,Ni+对其体寿命的影响较小,N型硅片的少子寿命往往高于P型硅片。另外,N型电池组件还具有弱光响应好
电池工艺下,72片组件功率差在5W以内。光衰方面,鑫单晶硅片氧含量约为直拉单晶含量50%以下,有效降低硼-氧复合体带来的光致衰减,多晶的光衰带来单晶的效率。而且,鑫单晶硅片电阻率分布更加集中,有利于
光能则会更多。
(2)无光致衰减。常规P型电池由于使用硼掺杂的硅基底,初始光照后易形成硼氧对,在基底中捕获电子形成复合中心,从而导致3~4%的功率衰减,即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型
双面则与PERC双面不同,基底掺磷,没有硼氧对形成复合中心的损失,使得电池几乎无光致衰减。
(3)弱光性良好。相比P型单晶,N型单晶对弱光有更加敏感的感知度,在每天的早晚、多云或者阴雨天气是,N型
解它,因为它会极大地影响你的太阳能组件和电站发电性能。
光伏行业对LID(Light Induced Degradation),也就是光致衰减现象已经很了解。通常情况下,只要光伏组件暴露在阳光下就会
发生LID(光致衰减),在短时间(几天或几周)内就能达到饱和的衰减。行业对于LID(光致衰减)的研究也已经非常充分,产生机制也获得一致认可,主要是硅材料内的硼氧缺陷。因为晶体生长方法的差异,单晶硅
拗口,但是值得大家花些时间去了解它,因为它会极大地影响你的太阳能组件和电站发电性能。
光伏行业对LID(Light Induced Degradation),也就是光致衰减现象已经很了解。通常情况下
,只要光伏组件暴露在阳光下就会发生LID(光致衰减),在短时间(几天或几周)内就能达到饱和的衰减。行业对于LID(光致衰减)的研究也已经非常充分,产生机制也获得一致认可,主要是硅材料内的硼氧缺陷。因为
得光伏企业仍将目光锁定在降低组件成本这一重点任务上。 为此,晋能科技正积极开发HJT技术。HJT组件具有工艺流程简单、无光致衰减、无电位衰减、低温度系数等优势,是未来光伏产业向25%效率水平发展的
斑性能,并且无光致衰减(LID);另外这款产品外观美化,可适用于大规模地面电站、分布式等多种安装环境。 编辑点评: 国电投西安太阳能的这款组件采用IBC电池,并叠加了当前最先进的组件工艺及技术
硅基组件超级联盟成员阿特斯表示,迄今为止,公司已经发运了共计2.6GW利用了LeTID(热辅助光致衰减)抑制技术的PERC光伏组件。
PVTech最近重点报道了德国光伏研究所
ISCKonstanz创始人RadovanKopecek博士进行的、与多晶和单晶热辅助光致衰减问题相关的工作,这些电池正在迅速取代传统的铝背场电池。
然而,根据德国普德光伏研究所的研究,经过数周加速热辅助
期待,有望推动高性价比产品的应用,通过技改提高产品效率、压缩技术成本。 由于HJT组件具有工艺流程简单、无光致衰减、无电位衰减、低温度系数等众多优势。晋能科技认为HJT技术是未来光伏产业向25%效率
%。
(3)耐高温,与n-PERT双面电池产线相兼容,可以通过对n-PERT双面电池产线简单的改造实现N型单晶双面TOPCon电池的规模化生产。
(4)光致衰减低,掺磷的N型晶体硅中硼含量极低
,本质上削弱了硼氧对的影响,光致衰减效应接近于零。
(5)弱光响应好,N型基体材料少子寿命高,在辐照强度低于400W/m2的阴雨天及早晚,仍可发电。
(6)工作温度低,红外透过率高,电流通道多,工作温度