)上均更优。同时,HJT 只需 4 道 工艺,相比 PERC(8 道工艺)和 TOPCon(9-12 道工艺)成本更低。 3) 光致衰减更低:HJT 电池 10 年衰减率小于 3%,25 年发电量
更优、工艺流程更简化、降本空间大,且光致衰减远低于其他电池,在25年全生命周期综合发电量较现有的PERC技术电池高15%-20%,未来将成为第三代电池片技术主流。浙商证券研报显示,预计2021年将成
提升,具备转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势,为此被诸多企业所关注。 本次启动的1.2GW异质结光伏项目属于国家产业政策鼓励类项目,在技术和
损伤)和非硅成本(燃料能源节约)上均更优。同时,HJT 只需 4 道 工艺,相比 PERC(8 道工艺)和 TOPCon(9-12 道工艺)成本更低。 3) 光致衰减更低:HJT 电池 10 年衰减
异质结太阳能(6.960, -0.03, -0.43%)电池,近年来成为颇受行业关注的新兴技术路线。有着转换效率高、双面发电、发电能力强、工艺流程短等特点,很适合分布式光伏电站的普及。HIT电池无光致衰减
HJT为低温工艺,在硅片成本和非硅成本上均更优。同时,HJT只需4道工艺,相比PERC(8道工艺)和TOPCon(9-12道工艺)工艺流程更简化。 3)其他:光致衰减更低
。 5. N 型电池推动产品品质升级,电子级硅料加速国产化 N 型电池突破效率瓶颈,有望成为未来主流技术路线。N 型单晶硅电池具有少子寿命 高,无光致衰减,弱光效应好,温度系数小等优点。2020
制作,其中P型电池存在硼氧过高,导致光致衰减的问题,但N型电池硼含量极低,且存在对金属杂质容忍度高、少子寿命高等优点,适合双面电池的设计,因此未来应用需求较高。目前能够达到量产的电池中,转换效率
简单、薄硅片应用、温度系数低、无光致衰减和电位衰减、可双面发电等一系列优势。但异质结电池制造组件,也面临一系列技术挑战: 1. 异质结需要不超过200度的低温工艺,因此异质结电池串焊、层压耐热性差
,组件功率衰减仍低于1%。
发电表现测评
在该项目中,天合光能获得了PAN file测试、光致衰减(LID)和光热诱导衰减测试(LeTID)的高分。其中,panfile测试显示
天合组件产品的综合系统效率(Performance ratio,简称PR)高于85%。经光致衰减(LID)测评,天合组件产品在检测的所有品牌产品中,得分位居前十位。而光热诱导衰减测试显示,通过486