光学膜

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刚刚鸣锣!光伏企业又一家成功上市来源:索比光伏网 发布时间:2022-12-23 10:06:33

是指在基底上沉积特定材料形成薄膜,使之具有光学、电学等方面的特殊性能。按照工艺原理不同,可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)设备。在传统工艺中,由于存在厚度控制和
层均匀性的问题,通过CVD与PVD工艺所生成的膜很难突破10nm以下的厚度极限。此外,在深宽比达到10:1以上时,CVD与PVD工艺无法保证下游工艺需要的近100%覆盖率的技术要求。而ALD工艺可以

浙江台州湾:十四五鼓励发展海上风电、太阳能光伏等绿色能源发电来源:台州湾经济技术开发区 发布时间:2022-12-13 09:29:33

材料生物相容性和化学稳定性,大力发展高性能、低成本生物医用高端材料。(二)培育发展新兴产业1.数字经济面向重点产业智能化需求,重点发展车用传感系统、电控单元、车载电子系统,大力发展精密光学器件、高端传感器
VOCs排放的重点工业园区废气处理设施建设。注重源头控制,提升车间装备水平,强化废气的收集,减少无组织废气的排放,有效开展泄漏检测与修复(LDAR),同时采用树脂吸附、膜吸收等工艺对高浓废气进行预处理,提高

河南驻马店市:“十四五”建设智能电网 打造光伏、风电装备应用高地来源:驻马店市工业和信息化局 发布时间:2022-12-08 09:09:24

节能灯具、输配电设备、余能利用设备、伺服电机、空压机、泵、膜处理设备、汽车尾气净化器、环境监测产品等重点技术及产品产业链,建成特色明显、创新能力强的节能环保产业体系。搭建环保大数据平台,推动产业集聚区
终端配套协作区建设,做大做强5G领域关键元器件、智能终端、精密机构件、关键光学元组件等配套产业和外围设备制造业。重点发展集成电路设计、专用芯片制造封装、专用材料等领域。积极引进集成电路设计、大尺寸硅片

含光伏产业链!国家发改委鼓励外商投资产业目录公示来源:国家发改委 发布时间:2022-11-30 09:03:45

TFT-LCD玻璃基板除外)322.偏光片基膜、扩散膜研发、制造323.电子书材料(电子墨水屏等)的研发、制造324.直径8英寸及以上硅单晶制造325.直径12英寸及以上硅片制造326.大屏幕彩色投影显示器用光学

OPT(奥普特)精彩亮相VisionChina 2022来源:索比光伏网 发布时间:2022-11-17 17:16:52

现场展示的锂电池顶盖、焊缝、密封钉及蓝膜等外观质量检测应用,方案产品以OPT(奥普特) 3D传感器为主,其产品采用了远心光路设计,能避免在焊缝和密封钉这些夹角区域出现暗角断点或视野盲区,不遗漏任何
外观细节;同时通过视觉软件对图像进行二值化处理,使用焊接缺陷检测算法,能提升检测效率和准确度,快速输出焊缝凹凸坑缺陷面积。锂电池焊缝和蓝膜外观质量检测在3D视觉应用方案里,OPT(奥普特)还展示了行业

异质结光伏电池TCO薄膜主要性能影响因素研究来源:TCO薄膜主要性能影响因素研究 发布时间:2022-11-17 09:26:38

载流子的横向传输及对外进行电流运输的通道,良好的透明导电膜可以实现较高的透光率和电导率,使得制备出的HIT电池具有较小的串联电阻和较高的填充因子,从而可大幅提升HIT电池的光电转换效率。其最早
材料,提高TCO导电薄膜的电导率,改善光学性能,提高透光率,降低制备成本并实现产业化,成为研究的热点。本文采用不同的技术手段进行TCO导电薄膜工艺参数对薄膜性能参数的影响分析,为提升异质结电池的转换效率

陕西西安:“十四五”加快PERC+、TOPCON、HJT等新兴技术研发来源:西安市人民政府 发布时间:2022-10-25 22:00:50

方向集成电路:布局第三代半导体生产线,重点引进8/12英寸硅衬底生产线,谋划引进6英寸SiC衬底和8英寸Si基GaN外延片生产线,引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备、刻蚀设备
开展纯电动汽车研发,不断占领新的市场。引导整车企业开展氢燃料汽车技术研发与产业推广应用,支持氢燃料电池关键材料与重点技术研发,布局氢燃料发动机、控制系统、电堆、质子交换膜等方向重点项目。鼓励延长、陕煤

HJT、TOPCon、IBC:你追我赶,谁是龙头?来源:全球光伏 发布时间:2022-10-24 10:54:49

在于利用光在不同界面处的 反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时,则利用光波 180°的 相位差可以进行叠加相消,氮化硅的折射率为 1.9,是最佳的电池减反膜材料。此外,氮化硅膜

应用于高空飞行器的薄硅“SE+PERC”太阳电池的研发来源:太阳能杂志 发布时间:2022-10-18 16:25:04

波段的光谱响应;2) 改进了硅片背面的抛光工艺和激光开膜的结构,使该类太阳电池的光学损失达到了最小;3) 硅片越薄,生产过程中的碎片率就会越高,为有效降低碎片率,对该类太阳电池制备过程中的关键工艺
。6) 表面镀膜:利用板式 PECVD 设备在硅片背面制备 Al2O3/SiNx 钝化膜,采用管式 PECVD设备在硅片前表面制备 SiNx 钝化膜。7) 激光开膜:利用纳秒级 532 nm

光伏大变局,TOPCon、HJT、IBC三个技术路线谁最强?来源:天风证券、Stock Snowball 发布时间:2022-10-12 14:10:55

其理论极限24.5%。N型硅片在少子寿命等方面具有天然优势,效率极限更高。技术原理:光伏电池核心结构为PN结和电极,效率损失主要分为光学和电学损失,HJT&TOPCon降低电学损失,IBC降低光学损失
与非晶硅之间镀制有本征非晶硅钝化膜,理论极限可达28.5%。IBC:电极放在背面减少光照遮挡损失,并且使用隧穿氧化层做电子传输,未来可叠加TOPCon或HJT技术,叠加后效率上限可达29.1%。成本