低阻单晶硅片

单晶硅片龙头厂隆基再度宣布降价： 180m厚度、0.8-2.6.cm电阻率由四月国内每片4.5元人民币、海外0.62元美金跌至国内每片4.45元人民币、海外0.61元美金。低阻单晶硅片则是国内每片

只能进行一次。2、直拉法的优缺点设备和工艺比较简单，容易实现自动控制；生产效率高，易于制备大直径单晶；容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低阻单晶。易被坩埚污染，硅单晶纯度降低，拉制的硅单晶电阻率大于50
，硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法，生长过程中不使用坩埚，熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间，区熔法不使用坩埚，污染少，经区熔提纯后生长的硅单晶纯度较高，含氧量和含碳量低。高阻硅单晶一般用此法生长

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
为7%，即I2/I1=7%；前表面二次反射率为90%，即I6/I5=90%。反射率、扩散方阻以及硅材料本身的参数设定后，改变特定厚度下的表面复合速率，即可得到同一厚度下不同复合速率的硅片模拟效率。改变

发射极刚刚兴起的时候，这一技术解决了银浆需要低方阻区域形成欧姆接触，而方阻太低复合过高之间的矛盾。虽然需要额外的工艺进行不同区域的扩散，后续工艺也需要额外对准，但仍被给予厚望，并被尝试采用。可随着浆料

表面浓度和上到110Ohm的方阻上都有着良好的接触，扩散匹配窗口很宽。 从下方某客户在使用Solamet? PV76x浆料时的实际烧结曲线也显示出Solamet? PV76x相对于常规正银可以在低
。 从下方某客户在使用Solamet? PV76x浆料时的实际烧结曲线也显示出Solamet? PV76x相对于常规正银可以在低30-40℃的温度下进行烧结。在较低的烧结温度下对于更低

烧结表现可以有效减少钝化层损伤和背部铝浆空洞，来进一步提升电池效率、改善可靠性。从下方某客户在使用Solamet PV76x浆料时的实际烧结曲线也显示出Solamet PV76x相对于常规正银可以在低
30-40℃的温度下进行烧结。在较低的烧结温度下对于更低表面浓度和上到110Ohm的方阻上都有着良好的接触，扩散匹配窗口很宽。3. 2 杜邦 Solamet PV76x优异的印刷性能业内众多人士对

需要低方阻区域形成欧姆接触，而方阻太低复合过高之间的矛盾。虽然需要额外的工艺进行不同区域的扩散，后续工艺也需要额外对准，但仍被给予厚望，并被尝试采用。可随着浆料的改进，正面银浆可以与方阻越来越高的硅

摘要：本文研究了单晶硅片不同的基体电阻率，对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响，采用四探针测试法测定了发射极的方块电阻，结果显示基体电阻率越高，扩散后的方阻越高，采用电化学电压电容（ECV
）测量方法测量了发射极表面浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率高的硅片扩散后表面浓度低、结深越小，是扩散后方阻高的原因，这些结果对太阳能电池生产的扩散工艺有一定的指导意义。 引言：目前，在国际环境

不远的将来实现大规模量产的工艺有如下几种。 PERL（钝化发射极、背面局部扩散）工艺，是澳大利亚新南威尔士研究的，实验室转换效率已经达到了24.7%。该工艺采用低阻单晶硅片，正背面都有热生长氧化

。PERL（钝化发射极、背面局部扩散）工艺，是澳大利亚新南威尔士研究的，实验室转换效率已经达到了24.7%。该工艺采用低阻单晶硅片，正背面都有热生长氧化层钝化，金属接触区域也被钝化以减少复合损失。该