低碳化

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有关多晶硅技术详解来源: 发布时间:2012-03-27 16:21:43

流化床反应炉内进行连续热分解反应,生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大,生产效率高,电耗低与成本低,适用于大规模生产太阳能级多晶硅。唯一的缺点是安全性差,危险性大。其次是产品纯度
不高,但基本能满足太阳能电池生产的使用。此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。4、太阳能级多晶硅

江西恩克太阳能晶硅线切割微粉项目一期投产来源:新余日报 发布时间:2012-03-14 23:59:59

片的主要切割材料,具有耐高温、耐磨损、高硬度、低膨胀系数、碳化硅含量高、粒度分布范围好等特点,在国内外具有良好的市场前景。恩克太阳能晶硅线切割微粉项目2011年4月破土动工,总投资10亿元,预计

金属所大尺寸单晶石墨烯的化学气相沉积法制备及其无损转移取得重要进展来源: 发布时间:2012-02-28 23:59:59

迁移率、高透光性、高强度等众多优异的物理化学性质,在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用。目前制备高质量石墨烯的方法主要有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气
相沉积法(CVD),前两种方法效率低,不适于大量制备,而迄今由CVD法制备的石墨烯一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。石墨烯中晶界的存在会严重降低其质量和性能,因此大尺寸单晶

新材料“十二五”规划助推光伏材料产业化来源: 发布时间:2012-02-23 08:45:59

点,充分发挥我国稀土资源优势,壮大稀土新材料产业规模。大力发展超高性能稀土永磁材料、稀土发光材料,积极开发高比容量、低自放电、长寿命的新型储氢材料,提高研磨抛光材料产品档次,提升现有催化材料性能和制备技术水平
纳米晶、特粗晶粒等高性能硬质合金产业化,提高原子能级锆材和银铟镉控制棒、高比容钽粉、高效贵金属催化材料发展水平。半导体材料。以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向,逐步提高关键材料自给率

中国绿色经济的未来来源:麦肯锡 发布时间:2012-01-30 23:59:59

一般企业所得税税率是25%,下一步我们对中小企业可以考虑继续降低。  3. 考虑新型税收调整经济结构。可以通过实行碳税,环保税促进绿色经济发展。碳税的对象主要是煤炭、天然气。起步时可以实行低税率。环境
税则可以通过费改税的方式来征收,抓重点,低税率。  同时,政府税收会大量加强民生支出,并通过各项手段促进新兴产业的形成和发展。包括:投资补助、股份投资、保证贷款、政府采购等等。  中国现在对低碳,对环境

我国太阳能极多晶硅技术装备取得巨大进步来源: 发布时间:2011-11-07 13:22:16

和金属化合物,而今还对除碳化物(如二甲基氯硅烷)普遍采用了加压精馏工艺,以提高产量和节约能耗。还原沉积之硅棒直径每小时增长量由过去的0.35~0.5毫米增加到现在的1~2毫米。12对棒还原炉炉产量
,有的企业还将改良西门子法多晶硅生产中的副产物作原料生产白炭黑,低沸物SiHCl3则用来生产有机硅单体。然而,记者了解到,在我国现有的40多家主要的多晶硅生产企业中,大部分技术装备以引进俄罗斯、德国、美国

甘肃对39户超能耗企业实行惩罚性电价来源: 发布时间:2011-11-06 23:59:59

碳化硅企业的127台电炉停产2个月。对能源消耗居高不下的平凉市采取更加严格的关停措施,具体企业或生产线由省发展改革委与平凉市政府研究确定。各市州对辖区内的铁合金、电石、碳化硅等高能耗、高污染、低增加值

科锐研制出新型碳化硅肖特基二极管提高太阳能微型逆变器能源效率来源: 发布时间:2011-10-13 14:39:47

更低的板载实现包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关、在更高频率下工作并能够支持低电磁干扰(EMI)信号、以及更高的浪涌额定值和电子雪崩性能等优点。额定电流为2A的新型器件充分发挥碳化硅材料本身的优势
索比光伏网讯:碳化硅功率器件市场领先者科锐公司继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出

昱辉阳光将类单晶硅晶圆效率提高至18.04%来源: 发布时间:2011-10-11 10:36:59

自行开发的金刚线来做切割,相较传统的碳化硅(SIC)方法,可大幅度减少硅晶片生产过程中COD(处理单位污水所需的耗氧量)排放,预计可达80-90%。   以能耗及产出对单晶、多晶及类单晶三者进行
平价,ReneSola技术部副总裁郑志东说。该公司提出的VirtusWafer生产成本保守估计会比传统单晶低8%~10%左右,更有助于下游模组业者降低生产成本。   据PIDA预估,到2013年时

ReneSola将类单晶转换效率提升至18.2%来源:Solarbe.com 发布时间:2011-10-09 08:59:09

开发的金刚线来做切割,相较传统的碳化矽(SIC)方法,可大幅度减少矽晶片生产过程中COD(处理单位污水所需的耗氧量)排放,预计可达80-90%。以能耗及产出对单晶、多晶及类单晶三者进行比较,单炉投炉量
副总裁郑志东说。该公司提出的Virtus Wafer生产成本保守估计会比传统单晶低8%~10%左右,更有助于下游模组业者降低生产成本。据PIDA预估,到2013年时,台湾太阳能光电产值可达新台币3,000