低电阻

，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 一、国际多晶硅产业概况当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料
主要表现在以下几个方面：1、产能低，供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美

时释放出的能量相当于2500t（标准煤）；对大气污染小、燃料运输量小、发电综合成本低且开发技术成熟，目前，已大量应用于工业能源生产。核裂变能主要用于发电和供热，由于核裂变能的上述优越性，核电事业有较大
。 生物质能源可以就地开发和利用，是可再生的廉价能源。其优点是使用方便，含硫量低，灰分少，易燃烧，并可进行多种转化，但缺点是容重小、体积大，贮运不便，传统的直接燃烧利用方式热效率极低。为了

and arsenic. 　　埋层 - 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。 　　　　Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates between

硅片表明，外加磁场减少了由热对流引起的生长条纹，用本方法生长的晶体，氧浓度为1x10"原子/厘米”，比常规 CZ硅的氧浓度降低了一个数量级。高阻MCZ硅单晶的径向电阻率不均匀性比FZ硅单晶的低。例如
条纹; 4.减少了由氧引起的各种缺陷; 5.由于含氧量可控，晶体的屈服强度可控制在某一范月内，.从而减小了片子的翘曲; 6.尤其是硼等杂质沽污少，可使直拉硅单晶的电阻率得到大幅度的

石英坩埚内溶化而成的料。 　　重掺料主要用于生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。 　　损耗：单晶拉制完毕后的埚底料约15％。 　　单晶硅棒整形过程中的头尾料约20％。 　　单晶整形

／CdS是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。因此，在70-80年代曾引起国内外广大光伏科研者的广泛兴趣，以空前热情进行研究。在烧结体Cu2JCdS太阳电池研究的基础上，70年代
更多的光激发载流子。1.3 CdS簿膜电学特性 一般而言，本征CdS薄膜的串联电阻很高，不利于做窗口层，在300℃-350℃之间，将In扩散入CdS中，把本征CdS变成n-CdS，电导率可达

证明，CulnSe2薄膜的导电性与薄膜的成份有如下关系： 1）当Cu／In＞1时，不论Se／（Cu＋In）之比大于还是小于1，薄膜的导电类型都为p型，而且具有低的电阻率，载流子浓度为
率。若Se／（Cu＋In）＜1，则薄膜为p型，具有高的电阻率，或薄膜为n型，具有低的电阻率。其中当Cu／In＜1且Se／（Cu＋In）＜1时的高阻p型薄膜已在实验中获得了高效电池（10

之势。2．2．aSI太阳电池的优势 技术向生产力如此高速的转化，说明非晶硅太阳电池具有独特的优势。这些优势主要表现在以下方面：（1）材料和制造工艺成本低。这是因为衬底材料，如玻璃、不锈钢、塑料等
悬挂键得到适量氢的完全补偿，使得隙态密度低，结构保持最高的稳定性。寻找理想廉价的工艺技术来实现这种理想的结构，应能从根本上消除光致衰退，这是一项非常困难的任务。2．6 a-Si太阻电池效率低的原因

型导电反型层。对效率产生决定性影响的是在介电层中使用了银。该电池优点是工艺简单，但反型层的薄层电阻太高。 （6）MINP电池——可以把这种电池看作是M1S电池和p一n结的结合，其中氧化层对表面和
1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低

，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感，可限制短路电流，因而提高了电路的可靠性。其缺点是变压器利用率低，带动感性负载的能力较差。全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管调节输出脉冲宽度
电路简单，成本低，但效率低，谐波成份大。正弦波输出是逆变器的发展趋势，随着微电子技术的发展，有ＰＷＭ功能的微处理器也已问世，因此正弦波输出的逆变技术已经成熟。1.方波输出的逆变器目前多采用脉宽调制