低电阻

就可求出电阻值，从而测得温度值。利用运算放大器虚短与虛断的特征和精密基准电压源LM399稳压的特征构成了一个电流调节范围宽，温票小，恒流稳定性高的恒流源。精密基准电压源LM399是温度系数非常低的特性
组件进行对比研究，通过蓄冷设备降低太阳能电池组件背板的温度，提高能量的转换效率。这就要求系统对电池组件温度的检测具有足够的精度和实时性。鉴于此，本系统采用精度为0.1℃的铂电阻温度传感器Pt100为测温元件

，通过使用印刷技术，有望大幅降低加工成本。与其他有机器件一样，有机太阳能电池也存在性能及寿命低的瓶颈问题。但其独特之处在于，已有风险企业在开拓在性能及寿命较低情况下也可实现的应用，并着手实施量产
面的表面积。该公司将力争在2015年前使转换效率达到7％。大日本印刷于2009年6月宣布，通过在电阻较大的透明电极上安装辅助电极，减小了损耗，使有机薄膜太阳能电池5cm见方单元的能量转换效率达到了4

置。 　　MPEC-1300可评测串联结构薄膜硅太阳能电池制造工序所需的如下特性。（1）评测电极用金属薄膜膜厚及面内分布的“触针式表面形状测量”；（2）评测电极用金属薄膜电阻率分布的“低电阻率测量”；（3

太阳能电池的形状及外观自由度高，通过使用印刷技术，有望大幅降低加工成本。 　　与其他有机器件一样，有机太阳能电池也存在性能及寿命低的瓶颈问题。但其独特之处在于，已有风险企业在开拓在性能及寿命较低情况下也可
体积中pn结界面的表面积。该公司将力争在2015年前使转换效率达到7％。 　　大日本印刷于2009年6月宣布，通过在电阻较大的透明电极上安装辅助电极，减小了损耗，使有机薄膜太阳能电池5cm见方单元的

在于样品制备过程可能会改变我们关注的杂质的浓度，或者会产生对分析有影响或无影响的化学态。举个例子来说，取硅料将其生长为可以用于测量电阻率、少子寿命或傅立叶红外（FTIR）的多晶硅块。生长多晶硅块的过程
可能引入氧、碳、氮和铁等杂质，甚至铝等掺杂元素。或者工艺过程中可能会形成一种氧的混合的复杂的化学态，这可能会影响傅立叶红外的测量，或者与氧有关的热施主杂质会影响电阻率。包括样品制备在内的“分析”必须以

不是电极的一部分。 直接法又分成两种： 　　（1）管式PECVD系统：即使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。这种设备的
。 　　（2）频率越低对硅片表面的损伤越严重。 　　（3）频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。 　　我们将不同频率的PECVD方法在电路控制难度的比较列于表1中。 表1 各种频率的

，产量进入世界大厂行列。目前，中硅高科生产的多晶硅部分产品已达到：P型电阻率3000?cm-4800?cm，N型电阻率300?cm-480?cm，少子寿命300s-1250s，质量稳定。中硅高科
针对多晶硅生产各主要环节建立6个研究平台和1个检测中心，解决了制约多晶硅材料大规模、低单耗、高品质、清洁生产的技术瓶颈，坚持产学研结合，培养、凝聚研发人才，形成持续研发能力。检测中心建设采用国际多晶硅

高能效太阳能电池生产的最佳产量，该金属镀膜生产线亦以提供卓越印刷精度的能力而闻名。前所未有的精度理想用于从低于100微米的集电器到低电阻汇流条的涂敷，并为现今复杂的光伏挑战提供行业领先的性能。(编辑:xiaoyao)

、检验和硅片翻转的解决方案。配备提供优质和高能效太阳能电池生产的最佳产量，该金属镀膜生产线亦以提供卓越印刷精度的能力而闻名。前所未有的精度理想用于从低于100微米的集电器到低电阻汇流条的涂敷，并为现今复杂

、除磷技术、除铝技术、除铁技术、脱除其他过渡金属和重金属技术，并结合高温蒸发脱除低沸点杂质元素、和脱碳、脱氧技术，及分凝技术，实现6N级高纯硅的制备。　　成果阶段：中试后期。　　本技术已实现的关键技术
指标为（经国际和国内权威检测机构检测）：硼0.3ppm，金属杂质0.5ppm。导电类型P 型，电阻率0.5。　　本技术方法，应用于工业生产，能经过少数几个基本处理过程，实现高纯硅的制备，预期能实现太阳能