低电阻
，TJB，ABC，DLC和NES，是一项新推出的可以提高光伏转换效率，降低生产成本的新技术。POP技术可以达到汇流条阴影和电阻之间最好的平衡点，可以提高超过3%的输出功率。ABC技术可以提高输出功率，并且
对二极管具有更好的散热性能，具有更低的物理电阻，因此可以减少额外的成本。应用铝背板和类金刚石镀膜玻璃，组件输出功率可以提升4%。NES技术（狭窄，电镀，选择性发射的缩写）可以将转换效率提升至17.4
)的情况下，MOS管的低工作消耗尤为重要。该模块内置MOS管以及驱动IC均由我司独立设计开发，内置MOS导通电阻极小，小于4毫欧。正由于有这样的特性，MOS管在工作的时候，功耗极低，特别是在大电流情况下
两种类型的杂质浓度。低杂质浓度区域被用于增加电量，高杂质浓度区域被用于降低电阻。新型导电浆料可以令太阳能光伏制造商以低杂质浓度使用光伏硅片并将电阻问题留给浆料。这可以有效替代SE工艺。导电浆料制造商
极。光伏电池制造商通常需要创造两种类型的杂质浓度。低杂质浓度区域被用于增加电量，高杂质浓度区域被用于降低电阻。新型导电浆料可以令太阳能光伏制造商以低杂质浓度使用光伏硅片并将阻力问题留给浆料。这可以有效
成品清洗拉弯矫直剪切包装;软态。熔铸热轧双面铣二机架切边中轧气垫炉中间退火精轧气垫炉成品退火剪切包装。试制中存在的问题：硬态和抗拉强度符合要求，但导电率低;软态成品退火后，硬度偏高(HV0.250
位错相互交截而产生强化现象，其加工硬化率高。因此随着变形量的增加，其强度和硬度也随之升高。塑性变形会引起点阵畸变、空位和位错密度增加，点缺陷所引起的点阵畸变使传导电子产生散射，提高电阻率，导电率下降
层。所用硅片为5英寸n型CZ片，晶向为(100)，电阻率0.5～3cm，厚度约200~220m。制绒之前先采用RCA法清洗硅片，用以确保制绒的均匀性。最后用1%的HF溶液去除硅片表面的氧化层。实验
来改善清洗效果，这样不但可以大量节省化学试剂和去离子水，而且RCAⅡ号液中的H2O2可以完全被清除掉。而采用稀释氯化氢(HCl)溶液的另一优点是，在低HCl浓度下颗粒不会沉淀。本实验前面所做的实验采用
薄膜太阳能组件中。这些材料的配方经过优化后具有极好的导电性，并且和太阳能应用中的透明导电氧化物之间具有低的接触电阻。CI-1031系列具有高的固含量和流变能力，可以使高深宽比的丝网印刷最大化印刷厚度，并减少
阴影。该油墨具有低应力，低收缩热固性，还有良好的防潮能力和低的高分子蠕变。线电阻率为8m/sq/mil（1milemulsion，230mesh）。
Spectrolab称，未来有可能会开发出4结或更多结的地面太阳能电池，转换效率可超过45%。Spectrolab说这些4结、5结或6结电池与3结电池相比，用降低电流密度换取了更高电压，对太阳光谱的解析也更有效，而低
电流密度也会在太阳能高度聚集时大幅度减少电阻能量损失。NREL推算不同结的太阳能电池的理论转换效率为：1结﹣37%;2结﹣50%，3结﹣56%;36结﹣72%。多结太阳能电池的未来在于CPV系统中的
太阳能电池，转换效率可超过45%。Spectrolab 说这些4 结、5 结或6 结电池与3 结电池相比，用降低电流密度换取了更高电压，对太阳光谱的解析也更有效，而低电流密度也会在太阳能高度聚集时大幅度
减少电阻能量损失。NREL推算不同结的太阳能电池的理论转换效率为：1结﹣37%；2结﹣50%，3结﹣56%；36结﹣72%。多结太阳能电池的未来在于CPV 系统中的应用。当前多结光伏的利基市场则是
,大大降低了串联电阻。IBC电池的核心问题是如何在电池背面制备出质量较好、呈叉指状间隔排列的p区和n区。为避免光刻工艺所带来的复杂操作,可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层,掩蔽层上的硼经扩散
的制作。图3RISE太阳电池此外,在德国Q2CellsAG公司资助下,ISFH与FraunhoferISE合作,在低质硅衬底上开发出高效背结电池。电池正表面结构与A2300类似,而背面则采用了更加
