绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件及模块,进一步推动碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体功率器件的产业化推广及应用。发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件。实现集成多维度信息采集
基础设施规划与国土空间、城乡建设、电力设施等规划有效衔接。打造绿色低碳信息基础设施。稳步推进网络全光化,鼓励采用新型超低损耗光纤,规模部署200G/400G光传输系统和1T以上大容量低功耗网络设备,引导
水平,形成规模效应。而有人才,令高景太阳能的产品得以在业内处于领先水平。 在大尺寸光伏硅片研发核心技术上,我们的研发团队已经做好了技术储备,自主研发的N型大尺寸硅片具有低功耗、高产出、高效率等特点
) ●PLC通讯 (适用于大型光伏电站项目和升压并网的项目) ●ZigBee通讯(适用户用或小型工商业系统) ZigBee是一种新型的短距离、低成本、低功耗的无线网络技术,具有网络容量大、时延短
开展绿色设计产品自我声明或自愿认证,选用绿色材料、低功耗零部件和绿色包装,提升产品可靠性、能效、使用寿命和可回收利用水平,到2025年力争绿色设计产品累计达到100种。执行绿色产品品目清单,推动政府绿色
梯队。 随着行业发展和技术进步,行业迎来了N型、大尺寸、薄片化硅片时代。上述硅片的生产规模更大、对技术门槛的要求也更高。据了解,高景太阳能准确把握住时代脉搏,自主研发的N型大尺寸硅片具有低功耗、高产出、高效率
随着物联网技术不断发展和成熟,及其在智能制造、智能家居和智能出行等领域的广泛应用,为物联网传感器网络和低功耗广域网络设备提供电源成为一个需要解决的难题。室内光伏电池可以采集环境中的光能,将其转变成
半导体、晶体等材料,近年来随着业务需求及上层技术的发展演进,在成本、尺寸和功耗等方面面l临挑战。硅光子技术结合了CMOS超大规模逻辑、超高精度制造特性和光子技术超高速率、超低功耗的双重优势,一经提出便得到
1月17日,中环半导体两大项目:高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目、年产30GW高效太阳能超薄硅单晶片智慧工厂四期项目,在中环宜兴产业园内举行开工仪式。
中环半导体材料BG总经理王彦
君在致辞中表示,今日开工的中环领先高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目总投资50亿元,年产30GW高纯太阳能超薄硅单晶片智慧工厂及配套项目总投资32亿元,中环半导体将以今天的项目开工为
中环半导体宜兴产业园新项目开工仪式圆满举行
1月17日,中环半导体两大项目:高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目、年产30GW高效太阳能超薄硅单晶片智慧工厂四期项目,在中环宜兴产业园
大力支持表示感谢,今日开工的中环领先高速低功耗集成电路用高端硅基材料的研发与生产项目总投资50亿元,年产30GW高纯太阳能超薄硅单晶片智慧工厂及配套项目总投资32亿元,中环半导体将以今天的项目开工为