中高温

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新疆木垒1GW项目630成功并网!来源:智汇光伏 发布时间:2019-07-04 08:42:59

。针对客户630数百兆瓦项目短期并网及低度电成本等需求,阳光电源根据因地制宜、科学设计的理念,为该项目提供SG2500UD-MV户外中压逆变器解决方案。 逆变一体 快速部署抢装神器 该方案采用逆
变一体化设计,高度集成中压变压器、配电及监控等设备,可以快速部署,缩短施工周期,完美匹配客户630短时间抢装并网需求,实现早发电早受益。同时逆变器与变压器还可以实现统一维护,用户也更省心

浅析p型PERC双面双玻光伏组件PID现象来源:光伏测试网 发布时间:2019-07-03 09:20:20

重。 引言 在实际发电现场及光伏组件PID测试过程中可以发现, 使用EVA (乙烯-醋酸乙烯酯) 封装的p型PERC双面双玻光伏组件, 正、背面的PID现象明显;而改变封装材料, 使用POE (聚烯烃
偏置电压时, 玻璃中的Na+出现离子迁移, 附着在电池片表面, 从而造成光伏组件功率下降的现象。 ▼ 2 p型PERC双面双玻光伏组件的PID现象分析 2.1 实际电站中的PID现象 光伏组件

重大突破!钙钛矿太阳能电池开路电压达1.26V来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2019-06-30 23:24:49

射在太阳能电池上时电池中存在电荷载体的数量,可有效提升太阳能电池的性能。 科学家们表示这一电压值很有意思,因为它显示了重组过程中太阳能电池能量的损失(当太阳能电池中的电荷载体从激发状态回到正常状态时
带隙的理论最大值为1.32V。 IEK-5科学家已证明可实现的应力原则上不受任何一侧接触材料的限制。就重组而言,电池层和界面的质量类似于由硅和砷化镓制成的电池的质量,但是只能在高温下使用极其复杂的

掌握这7个小窍门迅速提升光伏发电量来源:光伏盒子 发布时间:2019-06-30 22:37:23

,具备一定的防风、防尘、防水等级。 但夏天的时候环境温度较高,逆变器内各种元件器在运行过程中,容易产生高温,导致发电效率也会有所下降,甚至影响元器件的寿命。 因此,部分户用光伏系统中的逆变器安装

锂电池界面电化学过程原位研究获得进展来源:中科院之声 发布时间:2019-06-30 21:03:50

Edition上。 近日,科研人员利用电化学AFM进一步探究了在高温条件下锂硫电池在LiFSI基电解液中的界面行为与反应机制(图2)。研究发现,在高温60℃时,阴极/电解质界面在放电过程中会原位形成一层由

浙大研发“超级电池”,可在-40℃环境下工作来源:新京报 发布时间:2019-06-30 20:42:28

,提出采用高温裂解石墨泡沫来制作电池正极,可研发高效能铝离子电池。浙江大学的研发团队,受这一理论启发,开始新型电池研制。 研发团队成员高超教授称,作为地壳中含量最丰富的金属元素,铝廉价且安全,在电池
LED灯。 按照研发团队的说法,新型铝石墨烯电池,是为取代现行锂电池而出现。 作为智能手机应用最多的电池,锂电池有诸多难以解决的缺点,除了在低温、高温条件下效能不稳定外,锂电池寿命有限,常常在使用

P型单晶电池转换效率达26.1%,创下新记录来源:PV-tech 发布时间:2019-06-30 20:13:04

了项目合作伙伴Centrotherm和瓦克化学的贡献。 Centrotherm在低压化学气相沉积反应器中沉淀了多晶硅层,瓦克化学贡献了硅片的高温加工知识。 ISFH的研究获得了德国联邦经济和能源部
多晶硅中的寄生吸收,避免金属指状物对正面的遮蔽。 n +型和P+型多晶硅由一块内置多晶硅区域彼此分离,该区域使用实验室工艺进行处理。ISFH指出介质背面反射激光消融,类似于目前的生产技术。 创下记录

P型硅电池效率超过26%详解德国POLO-IBC技术来源:PV兔子 发布时间:2019-06-30 19:58:51

区域 高温退火,在这一步中,正反两面的钝化薄层氧化硅厚度减少,局部形成微孔,而这也是POLO技术的核心,通过微孔(主导)和隧穿共同实现电流的导通,POLO技术可以看作是纳米尺度的背面局部接触
(PERC)。同时在这一步工艺中,两面生长氧化层,正面掺杂的多晶硅对硅片起到吸杂(Gettering)的效果 去除正面氧化层,再使用光刻技术对背面氧化层开孔 使用KOH刻蚀,正面制绒,背面断开掺杂区域的

功率模块的技术突破让组串式逆变器产生质的飞跃来源:世纪新能源网 发布时间:2019-06-30 17:53:23

转换工作,长时间工作在高温,高电压,大电流状态,是逆变器最容易出故障的器件,每一个功率器件就是一个故障点。光伏逆变器中的功率开关器件主要是指分立器件功率MOSFET和功率模块IGBT。早期的中功率组串式

光伏逆变器拓扑结构与其功率器件的发展来源:世纪新能源网 发布时间:2019-06-30 17:51:31

(SiC)器件属于宽禁带半导体组别,与常用硅(Si)器件相比,有许多优势:一是耐高压,碳化硅器件具备更高的击穿电场强度,最高耐压可达10kV,比硅(Si)器件耐压提高了几倍;二是耐高温,其最高结温可达
一点。 软开关与多电平技术 软开关技术利用谐振原理,使开关器件中的电流或者电压按正弦或者准正弦规律变化,当电流自然过零时,关断器件;当电压自然过零时,开通器件。从而减少了开关损耗,同时极大地解决了感性关断