三栅线电极

）、硅表面的光反射损失以及前栅线电极的遮挡损失。（2）电学损失，包括半导体表面及体内的光生载流子（电子-空穴对）的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。光学损失和电学损失中的欧姆接触损失非常容易

栅线电极的遮挡损失。（2）电学损失，包括半导体表面及体内的光生载流子（电子-空穴对）的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。光学损失和电学损失中的欧姆接触损失非常容易理解，而光生载流子复合损失

的光反射损失以及前栅线电极的遮挡损失。（2）电学损失，包括半导体表面及体内的光生载流子（电子-空穴对）的复合损失、半导体与金属电极接触的欧姆损失。光学损失和电学损失中的欧姆接触损失非常容易理解，而光生载流子

发布的三项SEMI国际标准PV65-0715《基于RGB的晶体硅太阳能电池颜色测试方法》、PV66-0715《太阳能电池电极栅线高宽比测试：激光扫描共聚焦显微镜法》和PV67-0815《晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法》的发布牌在此次会议上获得颁发。

PV65-0715《基于RGB的晶体硅太阳能电池颜色测试方法》、PV66-0715《太阳能电池电极栅线高宽比测试：激光扫描共聚焦显微镜法》和PV67-0815《晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法》的发布牌

国际标准PV65-0715《基于RGB的晶体硅太阳能电池颜色测试方法》、PV66-0715《太阳能电池电极栅线高宽比测试：激光扫描共聚焦显微镜法》和PV67-0815《晶体硅片腐蚀速率测试方法：称重法》的发布牌在此次会议上获得颁发。

会上，看到很多组件厂家推出了4栅线、5栅线的高效电池。由于银栅线对电池片的遮挡更加均匀，因此在硅片相同的情况下，整个光伏组件的输出功率提高。除了多栅线电池以外，有的厂家也推出了背电极电池

ITO，蒸镀Ti/Pd/Ag叠层栅线，背面蒸银作为背面电极。该电池设计开路电压达到692.4mV，填充因子达到79.4%。由于退火温度的不同，这里沉积的非晶硅并未结晶为多晶硅，而是达到了类似薄膜硅电池中的

日本太阳能电池大厂京瓷(Kyocera)6日发布新闻稿宣布，已和韩国财阀韩华集团日本法人HanwhaQCELLSJapan就京瓷所持有的三栅线电极构造(3-busbar)专利以及双方所持有的其他

，用于电池连接的三十根很细铜线每个电池产生多达两千个接触点，在启动时较一流三栅技术的功率输出提高5%，同时降低生产成本。 双面电池从电池的两个表面产生电力，捕获投射在组件背面的反射光，其被称为反射效应