“薄膜化”
持平。
硅片设备方面，国产化程度已达到较高水平，单晶炉、截断机、切片机等环节设备，国产厂商已具备比较明显的竞争优势，具体而言，国产设备在加工效率、加工效果等方面与进口设备不相上下，且相比进口设备具备
两个方面：一是在PERC的基础上进行持续的工艺改进，可以称之为2.5代技术，这类技术升级的优势是能够实现与原有产线的良好兼容，更容易实现产业化。二是对PERC工艺进行了颠覆的HIT电池，可以称之为3代
异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发：
硅片薄化
N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构
，虽然短路电流(Isc)随厚度电池变薄而降低，但开路电压却提高，因此即便使用薄化硅片亦可维持相同电池效率，而薄化电池并再搭配智能网栅技术(SWCT)可在组件上增加5W左右的瓦数输出。因此对于使用N型硅片
项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发：
硅片薄化
N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构对称，加上电池工艺
)随厚度电池变薄而降低，但开路电压却提高，因此即便使用薄化硅片亦可维持相同电池效率，而薄化电池并再搭配智能网栅技术(SWCT)可在组件上增加5W左右的瓦数输出。因此对于使用N型硅片异质结电池来说，藉由
轴承、叶片、齿轮箱等关键零部件和配套设备制造;发展高效薄膜电池、光伏逆变器、高性能平板集热器和高效晶硅电池、薄膜电池成套生产设备;加快推动氢燃料电池高性能电堆国产化，发展固体氧化物燃料电池及其分布式发电
异质结电池主要降本项目加以说明和分析，希望能给读者相应的启发：
硅片薄化
N型硅片是异质结电池生产成本中所占比重最高的成本中心之一，因此利用薄化硅片以降低材料成本成为降本必要路径。由于异质结电池结构
，虽然短路电流(Isc)随厚度电池变薄而降低，但开路电压却提高，因此即便使用薄化硅片亦可维持相同电池效率，而薄化电池并再搭配智能网栅技术(SWCT)可在组件上增加5W左右的瓦数输出。因此对于使用N型硅片
路线
(1)HJT采用了与传统晶硅电池工艺设备不兼容的薄膜沉积的技术，设备一次投资高，带来成本的上升，通过推动HJT产业规模化发展，设备成本有望持续下降，接近与PERC持平。
(2)N型硅片市场
(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer， HIT) ，结合了薄膜太阳能技术，理论效率达27%以上，是已知量产电池中相对效率最高的结构，成为了下一代电池技术的最有力竞争者
之前讨论的是光伏技术周期的基本面变化，结合两次技术周期代表性公司的复盘，本文谈谈市场如何看待光伏跳跃间断点。一、代表性公司 第一次技术周期是保利协鑫推动冷氢化技术替代薄膜的商业化。在冷氢化硅料替代
性价比提升超越 PERC，则有望激发现有产 线改造需求，延长现有产线生命周期，建议积极关注后续产业化进展。
3)HJT 电池：
HIT 工艺步骤简单，仅有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、透明导电膜制备和
实现薄膜沉积。PVD 技术的优势在于设备成本较低，成膜均匀性更好，镀膜工艺稳定，能 够满足大规模产业化需求，但由于等离子体中包含大量高能粒子，会对基板表面产生强烈的轰击刻蚀作用。而 RPD 技术的
交所主板正式挂牌上市，公司证券代码为603212，发行价格10.46元/股，新股数量4001万股，占发行后总股本的10.00%，发行市盈率为22.57倍。
招股书显示，赛伍技术主要从事以粘合剂为核心的薄膜
系统集成服务。
上能电气上市后，主要将募集资金用于高效智能型逆变器产业化项目、储能双向变流器及储能系统集成产业化项目、研发中心建设项目、全球营销网络建设项目、补充营运资金等方面，进一步提升公司产品竞争力
交所主板正式挂牌上市，公司证券代码为603212，发行价格10.46元/股，新股数量4001万股，占发行后总股本的10.00%，发行市盈率为22.57倍。
招股书显示，赛伍技术主要从事以粘合剂为核心的薄膜
系统集成服务。
上能电气上市后，主要将募集资金用于高效智能型逆变器产业化项目、储能双向变流器及储能系统集成产业化项目、研发中心建设项目、全球营销网络建设项目、补充营运资金等方面，进一步提升公司产品竞争力
