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光伏
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为您找到 “c-Si技术”相关结果234 个
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综合
光伏设备制造商的生存关键
来源:索比光伏
发布时间:2012-10-31 13:14:04
制造商的下一个计划步骤。发展单晶硅(
c-Si
)铸锭使用的直拉单晶硅(CZ)。提高效率和降低成本方面,这项
技术
设备改良后的效果是显而易见的。 但目前这个项目太贵了,托尔说,晶片切割浪费了很多硅,标准的电池
)。重要结论总体而言,托尔认为:西门子公司产品仍将选择多晶硅行业,公司目前拥有88%的市场份额;产品分化是生存的关键;
C-Si
铸锭发展需要更低成本的替代物;为了避免市场淘汰,必须优化晶片制造
技术
;选择的设备和材料需要CIGS和CdTe产品。
光伏要闻
光伏设备制造商的生存关键(图)
来源:索比光伏
发布时间:2012-10-31 10:12:59
产能扩张。这里的下一代
技术
包括:由于产品变化较小,开发准单晶硅(qc-Si)锭,有可能给制造商带来重大好处。qc-Si锭的发展使得方形
c-Si
晶片取代标准的伪方形晶片,因而能够降低40%的
c-Si
晶片
光伏
光伏设备
太阳能
瑞士太阳能电池板将把光伏产品集成到城市建筑中
来源:索比光伏
发布时间:2012-10-25 23:59:59
,该项
技术
可进一步提高太阳能在乡镇和城市发展的可能性。 瑞士公司Glass 2 Energy已经制造出染料敏化太阳能电池(DSC)板。据该公司介绍,与传统的晶体硅(
c-Si
)
技术
相比,该电池板在低亮度
光伏要闻
全球主要的薄膜太阳能电池生产企业
来源:索比光伏
发布时间:2012-10-17 15:52:59
全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造,且数量还有增加的趋势。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的
技术
,各领导厂商间的发展亦互有差异。以下为小编整理的全球部分薄膜太阳能电池生产企业(排名不分
额定功率140Wp,稳定转换效率:9.09%,分别取得了中国建材安全检验中心授予的3C产品质量认证、国际标准化组织授予的ISO质量体系和生产安全体系认证、德国
技术
质量协会授予TUV认证和中国质量检验
薄膜
光伏企业
薄膜太阳能电池
光伏制造商转型的可能性探讨
来源:索比光伏
发布时间:2012-09-20 23:59:59
风险,如欧洲双反等。3.2
技术
同质化国内企业选择的都是基于
C-si
的单晶或者多晶路线。在市场发展的早期,这种产业群体行为能够集中
技术
和资金在短期内迅速降低成本,刺激需求带来的利润能够支撑业界大部分
光伏要闻
国际太阳能光伏
技术
路线图2012版
来源:索比光伏
发布时间:2012-09-19 10:56:52
的制造
技术
将会出现,目前还未知的
技术
将在2015年得以在生产中应用。
c-Si
产业链制造商的具体要求有更有效的使用材料、更高效的设备、更先进的工艺。这些领域的进步影响的不仅仅是单个制造步骤,也会影响整个
光伏要闻
薄膜组件企业MiaSolé进行裁员意为保护现金流
来源:索比光伏
发布时间:2012-08-11 09:11:59
实验室到生产工厂的过渡提供资金,提升商业规模产量以推出具有成本竞争力的产品,而如果找不到战略合作伙伴就只能申请破产了。传统晶体硅
技术
快速和大幅的成本削减主要是由于多晶硅价格的急速下降和
c-Si
光伏生产商的
近日MiaSol这家薄膜组件新兴企业在一份声明中称,他们正在进行生产和运营部门的裁员以保护现金流,因为未来60-90天中可能会达成一项战略合作伙伴关系。
技术
和商业部门以及柔性薄膜产品部门暂不
裁员
保护现金流
薄膜组件
光伏薄膜组件企业MiaSolé进行重组是为了保护现金流
来源:索比光伏
发布时间:2012-08-10 23:59:59
合作伙伴来为实验室到生产工厂的过渡提供资金,提升商业规模产量以推出具有成本竞争力的产品,而如果找不到战略合作伙伴就只能申请破产了。传统晶体硅
技术
快速和大幅的成本削减主要是由于多晶硅价格的急速下降和
c-Si
索比光伏网讯:近日MiaSol这家薄膜组件新兴企业在一份声明中称,他们正在进行生产和运营部门的裁员以保护现金流,因为未来60-90天中可能会达成一项战略合作伙伴关系。
技术
和商业部门以及柔性薄膜产品
光伏要闻
统一光伏
技术
路线图将终结光伏产业虚假繁荣
来源:索比光伏
发布时间:2012-08-03 11:58:09
占领市场份额。NPD Solarbuzz的分析师Ray Lian说:此前,光伏行业追求的是各类
c-Si
和薄膜光伏制造
技术
进步。这为光伏设备供应商带来了巨大的挑战,因为他们不确定客户是否能成为回头客。然而
降到史上最低。在这个阶段,一线
c-Si
领导者会将重点放在制定一个新的光伏
技术
路线图上。显然,这不足以让行业斥资更新设备,因为该市场调查公司也关注了2010年和2011年超支消费过程中吉瓦级卸载设备的购买
光伏要闻
光伏企业动态每日速览(第三十期)
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-31 08:35:59
给66kV电网。晶体硅光伏(
C-SI
PV)
技术
已经应用到这个光伏电站。该电站由光伏电池阵列组成,光伏电池是由晶硅太阳能电池片制成的,可以将太阳光转化为电能输送到电网。与该地区的增长保持同步,印度巴拉特重
虽然光伏行业仍处于寒冬,但是危机时期也是积蓄力量的最佳时期,有远见的光伏企业积极投入,
技术
产品上推陈出新,战略上提前布局。也许是光伏企业相信,光伏的寒冬迟早要过去,各大光伏企业未雨绸缪,以免晚于别的
光伏
太阳能
光伏逆变器
巴拉特重型电力卡纳塔克光伏电站并网
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-30 09:12:59
年太阳能发电站。该电站自从与电网连接之后,运营情况令人满意。太阳能电池板产生的直流电经过逆变器之后转为交流电,然后通过变压器输送给66kV电网。晶体硅光伏(
C-SI
PV)
技术
已经应用到这个光伏电站
伏电站并网
光伏
太阳能
光伏“
技术
为王”时代即将到来
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-18 11:09:59
份额。NPDSolarbuzz的分析师RayLian说:此前,光伏行业追求的是各类
c-Si
和薄膜制造
技术
进步。这为光伏设备供应商带来了巨大的挑战,因为他们不确定客户是否能成为回头客。然而,现在的制造业动荡对淘汰
c-Si
领导者会将重点放在制定一个新的光伏
技术
路线图上。显然,这不足以让行业斥资更新设备,因为该市场调查公司也关注了2010年和2011年超支消费过程中吉瓦级卸载设备的购买,但是,由于产能过剩导致的
光伏
技术
太阳能
光伏
光伏要闻
实施新光伏路线图的统一 结束光伏虚假繁荣时代
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-18 08:34:59
都是有钱出资的人以及领先
技术
竞争的人推动产生的,尽管不一定盈利或者成功占领市场份额。 NPD Solarbuzz的分析师Ray Lian说:此前,光伏行业追求的是各类
c-Si
和薄膜
充分理解光伏
技术
路线图的时机和内容,这个路线图将在明年的一线
c-Si
制造商中渐渐浮出水面。 除了
技术
购买流程,产能购买流程也将在几年内扩大,这将严重损害将重点广泛地放在光伏行业上的设备
光伏行业
光伏设备
光伏行情
2012年光伏产业年中回顾(二)
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-13 09:08:59
目前尚未被欧盟采纳。作为报复,中国已威胁将发起类似的指控,并将与其他国家展开贸易往来。晶硅之战今年,晶体硅(
C-Si
) 仍是最强的
技术
。美国与日本光伏制造商生产的单晶硅最高效率可达22%,但制造成本过高
光伏
光伏产业
光伏市场
2012:光伏产业依旧行走在路上
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-13 08:47:59
。 下一页 晶硅之战今年,晶体硅(
C-Si
) 仍是最强的
技术
。美国与日本光伏制造商生产的单晶硅最高效率可达22%,但制造成
债务不断上涨,给予新能源
技术
的大笔资金及补贴已逐步缩减。美国国会在新年前一天终止了1603财政补贴计划,这意味着如果申请者在12月31日前开工建设,并能在2016年12月31日前完工的话,那么他们仍能
光伏
光伏产业
太阳能
光伏要闻
2012年全球光伏市场供求将趋于平衡
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-05 23:59:59
半年,多晶硅平均销售价格的下滑幅度不超过10%。因此
c-Si
制造商将被迫有限考虑削减非硅产品的生产成本,这也是对抗组件价格下滑的唯一手段。 2012年,硅制与非硅的总生产成本有望下降20%-35%,其中非硅
部分的下降幅度可以达到50%。 Solarbuzz指出,2012年第一季度,组件生产成本成为决定总硅质与非硅成本的最大部分。不过,最为制造供应链中
技术
挑战性最不高的一部分,组件生产成本下降幅度最大
光伏要闻
太阳能硅片切割的线痕和断线分析
来源:索比光伏
发布时间:2012-07-05 16:34:51
索比光伏网讯:硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块,然后切成很薄的硅片,这些硅片就是制造光伏电池的基板。硅片是晶体硅光伏电池
技术
中最昂贵的部分,所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯
技术
如何降低切片成本做一个概述。1.线锯切割的发展史第一台实用的光伏
光伏要闻
用ECR-CVD改善硅基异质结太阳电池的界面钝化的影响
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-20 23:59:59
,Taiwan 这些年来,对晶硅(
c-Si
)和氢化非晶硅(-Si:H)组成的异质结太阳电池的关注不断增加。与常规的
c-Si
同质结比较,-Si:H/
c-Si
异质结有几个优点:⑴ 太阳电池效率高,超过
光伏要闻
HIT电池表面钝化
技术
的研究
来源:索比光伏
发布时间:2012-06-11 09:55:03
索比光伏网讯:摘要:本文采用PECVD
技术
沉积本征非晶硅薄膜,研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明:本征层厚度要适中。随着沉积气压、射频功率和氢
稀释度的增加,少子寿命均呈现先增大而后减小的趋势。同时,采用HF/O3清洗
技术
能使少子寿命得到很大的改善。1前言晶体硅电池具有转换效率高、
技术
成熟等优点。但传统的高温扩散工艺又限制了转换效率的提高和
光伏要闻
光伏解读:三洋HIT电池
技术
来源:索比光伏
发布时间:2012-05-30 14:47:08
/
c-Si
界面质量,不断降低缺陷态密度。2.优化光陷,降低反射率。3.提高透明导电膜的电导率,透射率。4.降低金属栅线的接触电阻。光伏
技术
:PECVD
技术
难点1.等离子体的不稳定性。等离子体的稳定性是
光伏要闻
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