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2016年，金属银将在PV领域实现最快的增长，总消耗量将超过2400万盎司。目前PV器件中银的主要应用是晶体硅（c-Si）PV电池的顶电极。几乎整个PV市场的90%都采用该项技术，并且这一
市场还将继续增长。但随着PV市场持续的转向薄膜和有机技术，银在整个产业中的重要性将被极大地削弱。然而，根据NanoMarkets介绍，除了简单的在c-Si工艺中涂覆应用之外，银还是提高电池效率和材料性能的

能成为成本降低的有效手段。图：IMEC未来c-Si光伏技术路线与BP Solar合作，IMEC在低成本的Mono硅材料上实现了18％的转换效率，这也许只是迈向成本降低的一小步，却也颇令人骄傲
厚度自然首当其冲，从2008年200微米减薄到2010年的120微米，继而在2015和2020年实现80和40微米的晶片厚度是目前设定的初步目标。与此同时，创新的硅材料、硅外延与硅薄膜技术等都可

非晶硅(a-Si)薄膜(简称硅薄膜)太阳能电池模块市场前景堪忧。受到今年硅料过剩影响，硅晶(c-Si)模块急速降价，再加上新崛起的碲化镉(CdTe)太阳能电池模块也以价格攻势快速抢占市场，让原本独具
成本优势的硅薄膜太阳能技术，面临前后夹击的威胁。　　专家认为，由于金融海啸影响太阳能产业下游产业，整体市场需求大为缩减，连带使得结晶硅价格迅速下跌。此外，在中国政府支持下，不少国内结晶硅供货商

还指出技术革新也将增加浮法玻璃的应用需要。但是从过去的情况看来，90%的光伏发电已将转变成太阳能压花玻璃，由于转成压花玻璃生产线比浮法玻璃生产线更加便宜。晶硅电池一直是市场上的主要模块。这种太阳能电池
的类型，只需一点点玻璃的保护。而现在市场正开始转向另一种更有效的太阳能技术。巧合的是，这种技术需要2片玻璃进行包装。　　汤姆斯还指出，美国比其他国家花了很多的精力在太阳能集中发电（CSP）的技术

Spire Corp.(Bedford, Mass.) 日前宣布，已经向Sova Power Ltd.(Durgapur, India)发货了一套光伏组件组装设备线。这套半自动化的晶体硅（c-Si
）组件制造线的产能达到每年12MW，将集成Spire的连接、层压和测试设备，以及中间站。Spire将帮助这家工厂提供工艺技术和培训。订单表明“印度正在成为太阳能产业的主要市场，”Spire公司CEO

Spire Corp.(Bedford, Mass.) 日前宣布，已经向Sova Power Ltd.(Durgapur, India)发货了一套光伏组件组装设备线。这套半自动化的晶体硅（c-Si
）组件制造线的产能达到每年12MW，将集成Spire的连接、层压和测试设备，以及中间站。Spire将帮助这家工厂提供工艺技术和培训。订单表明印度正在成为太阳能产业的主要市场，Spire公司CEO

。 2007年薄膜太阳能电池产量(包括a-Si、c-Si、CdTe、CIGS等技术)增速持续超越整体产业，2007年薄膜太阳能电池产量达到400MW，较06年的181MW大幅增长了120%，2007年
业内人士已经预计，未来几年内如果薄膜电池在转换率和材质需求等方面的技术上不突破的话，将很快被淹没在硅电池的大海中。对于薄膜电池的又一不利消息是，国际硅原料的现货价格仍在下跌，美国道康宁等多家公司已经

, a-Si, c-Si等。对于光伏行业，提高效率是大家共同的目标。“比方说，FIRST SOLAR，作为我们多年的客户，想要他们的电池效率到明年增加一个百分点，我们进行专业分析，就会对样品的成分给出及时的
反馈让结果最快的用于技术改进方案，以保证他们的这一目标顺利达成。”像FIRST SOLAR这种大型上市公司，稳定的效率增加，不但是自己竞争力提高的表现，同时也是对股东一个必须的交代。　　关于世界

薄膜太阳能电池产业得到较快发展。 2007年薄膜太阳能电池产量(包括a-Si、μc-Si、CdTe、CIGS等技术)增速持续超越整体产业，2007年薄膜太阳能电池产量达到400MW，较06年的181MW
其技术的不断进步，光电转换效率得到迅速提高，现在比2年以前约提升了30%-40%，虽然仍然与晶体硅电池相比有很大差距，但其用料少、工艺简单、能耗低，成本有一定优势，越来越被业界所接受。因此近3年来

电池产业得到较快发展。2007年薄膜太阳能电池产量(包括a-Si、c-Si、CdTe、CIGS等技术)增速持续超越整体产业，2007年薄膜太阳能电池产量达到400MW，较06年的181MW大幅增长
，市场占有率很低。目前已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池(CIGS)、碲化镉薄膜太阳能电池(CdTe)。　　发展现状：产能增速连续两年超120%随着其技术

目前商业化生产的薄膜硅太阳能电池主要分为非晶硅(a-Si)薄膜和非晶/微晶硅 (a-Si / μc-Si) 叠层薄膜。其生产工艺首先是在玻璃基板上制造透明导电氧化物(TCO)，然后再通过PE C V
等方面采取了特殊的技术措施，以实现把原料钢瓶内的DEZn，安全连续地输送到TCO设备。安全控制方面，系统采用SS316L管道阀门材料，并进行保压测试和氦检漏，确保系统的机械完整性。DEZn钢瓶和

美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)正在开发一项工艺，极有可能将晶体硅（c-Si）太阳能电池的转换效率提高2%之多。该学院的研究员采用了两种不同
足够的湿汽使电池保持清洁，Wong表示。然而，在潜在的商业化可行前，仍存在一些技术挑战。纳米级结构固有的脆性，其易于被破坏和摧毁。 “因为这些结构如此小，以致于相当脆弱易碎，”Hess指出，“表面

步骤：切料, 切方和切片硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分，所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片
(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失

转换效率达8.5~9%、优于市场均值预定第二季量产上市由迎辉科技(3523)转投资的薄膜太阳能电池厂八阳光电，日前成功试产出首片高效率双层非晶矽/微晶矽(a-Si/μc-Si)薄膜太阳能
电池，预定第二季正式量产出货，今年产能规划15MW，转换效率可达8.5~9%，优于市场上平均转换效率仅6~7%的单层非晶矽(a-Si)太阳能电池。该公司表示，技术团队结合具备多年经验的真空镀膜团队与

加利福尼亚州圣何塞消息——工程基片工艺和技术的领先者Silicon Genesis今天宣布，它已生产出首家20um厚度太阳能电池箔。研究发现，这种125毫米见方的单晶硅箔既耐用，又有很高的柔性
。新形态既非薄膜，也非晶片，因而被命名为“箔”(foil)，以更好地描述这种薄、柔软、独立的材料的独特物理特性。这一成就是SiGen公司PolyMax无切损切片技术发展的重要里程碑。 125mm x

出的技术蓝图清晰指出，5年后晶体硅（c-Si）太阳能电池的效率将增长3-5%，平均值将达到16-20%。对于薄膜太阳能面板，总体效率较低，但也有望获得相应提高。比如，从单结非晶硅（a-Si）结构向串联
激光加工将怎样以及为何在太阳能技术路线中起到越来越重要的推动作用。我们还特别研究那些目前从事或即将进入设备供应链的供应商们所面临的新挑战。　　由于多种太阳能电池技术在相互争夺市场份额，人们研究各种

太阳能厂商最急于实现的愿望。大多数已提出的技术蓝图清晰指出，5年后晶体硅(c-Si)太阳能电池的效率将增长3-5%，平均值将达到16-20%。对于薄膜太阳能面板，总体效率较低，但也有望获得相应提高。比如
，并讨论激光加工将怎样以及为何在太阳能技术路线中起到越来越重要的推动作用。我们还特别研究那些目前从事或即将进入设备供应链的供应商们所面临的新挑战。由于多种太阳能电池技术在相互

发展硅薄膜光伏电池（a-Si/μc-Si）领域，宣称将于2010年建置1GW硅薄膜光伏电池产能；受限于关键制程设备技术的不足，Suntech就显得相对逊色，2009年硅薄膜光伏电池产能建置计划仅50MW
投入。目前已经获悉的信息包括：全球光伏电池龙头Q-Cells全线推进现有商业化薄膜电池技术，a-Si、CdTe及CIGS均有投入；日本大厂Sharp凭借其在液晶领域的技术优势，着重

在太阳光电热潮不退，而硅材缺料压力未解与薄膜技术发展潜力备受看好的态势下，全球已有百家以上厂商投入薄膜太阳能电池的研发制造，且数量还有增加的趋势。薄膜太阳能电池的市占率已从2006年的7.6%上升
到2007年的10.4%，一般认为至2010年应可达到20%。然而薄膜太阳能电池细分下又有不同的技术，各领导厂商间的发展亦互有差异。以下就各类薄膜技术的领导厂商之发展概况作一说明。一、硅薄膜