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了光储充专场技术创新研讨会，共同探索光储充这一蓝海市场的技术难点与商业模式。第三代半导体技术。说完新能源产业，就不得不提第三代半导体技术，新能源汽车已成为SiC最大的应用市场，随着其技术的不断发展
SiC技术专场研讨会，共同探讨第三代半导体技术应用现状及未来发展趋势，为电源企业展现上游供应商当前最新的配套解决方案及产品开发进度。便携式电源市场崭露头角。持续的疫情限制人们出行，让越来越多的人对

发展方向是速度更快，功能更强，效率更高。功率器件材料发展较快，正在由传统硅基功率器件向宽禁带材料(SiC、GaN)功率器件发展，碳化硅是目前发展最成熟的第三代半导体材料。可以这样比喻，硅基材料好比
SiC功率器件，发热量只有硅器件的1/2，有非常优异的高温稳定性，散热处理更容易，可以减小体积、减轻重量，提高逆变转化效率，降低损耗，提高光伏发电站经济效益，为光伏行业降本增效做出贡献。全球宽禁带

。第三代半导体材料碳化硅(SiC)的机会来了。半导体迭代的区别只取决于其材料。如果说第一代硅材料半导体已经接近完美晶体，那么以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体具备更优异的材料物理特性，为进一步提升
电力电子器件的性能提供了更大的空间。目前的车规级半导体都以硅基IGBT为主，但近年来，SiC半导体材料迅速崛起。相比于硅基IGBT，SiC器件性能更优、体积更小、能耗更低，缺点则在于成本较高，同等

成熟。关于芯长征：致力于打造国际领先的功率半导体标杆品牌芯长征科技成立于2017年，是一家专注于新型功率半导体器件设计与开发的公司，核心业务包括IGBT、Cool Mos，SiC等芯片产品及技术开发
、太阳能光伏等关键场景，各类MOS、IGBT和SiC系列产品均已获得行业标杆客户认可，并批量出货。2019年下半年，公司已完成了中高端模块自有产线的建设，已具备模块自主设计及制造能力。国内资深的功率

SiC芯片，功率半导体模块生产线新增产能400 万片/年。预计接下公司光伏逆变器的产品营业收入将持续快速增加。　　同时，国内首批IGBT公司之一宏微科技，自研IGBT芯片也已达行业
。公司已进入华为光伏供应链。此外，据了解，国内中车时代半导体公司，已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的集成企业代表，拥有国内首条、全球第二条8英寸IGBT芯片

管理 400V 电池组的电源转换? 除了具有系统控制和通信功能的微型计算机将ESS纳入更大的系统之外，低损耗和高效的电源开关也提高了储能系统的安全性和可靠性。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓
SiC 和 GaN 等宽带隙半导体在解决电源转换系统方面发挥着重要作用，这些系统可以处理随着转换器增加功率密度和降低开关损耗而不断上升的电池电压范围。... 电源转换系统还允许电池组更好地管理

今天上午，期待已久的三安湖南碳化硅生产基地正式点亮投产。据介绍，该项目总投资高达160亿元，是全国首条、全球第三条碳化硅垂直整合产业链，其中碳化硅晶圆的年产能达到36万片。该项目的投产将为全球碳化硅产业带来哪些影响?未来三安碳化硅将如何布局?今天为大家剖析三安的4大超级现象。三安超级速度：千亩基地一年建成 6月23日上午，湖南三安半导体正式点亮投产。三安光电

《全球光伏》了解到，Fraunhofer ISE采用3.3 kV 碳化硅SiC晶体管开发了250千瓦逆变器堆栈，可以将逆变器直接连接到中压电网。随着能源过渡的进行，电网的扩展变得越来越重要
网。弗劳恩霍夫太阳能系统研究所在 SiC-MSBat项目中，研究人员与合作伙伴开发并成功调试了一种高度紧凑的SiC逆变器，凭借SiC逆变器的高控制动态特性，可以承担电网稳定