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综合

文献中在p型a-SiC∶H与前电极之间插入一层很薄的p型c-Si∶H层，可以降低表面接触势垒，使效率得到提高。
并导致具有化学活性的物质(活化分子、原子、离子、原子团等)产生，使本来需要在高温下才能进行的化学反应，当处于等离子体场中时，由于反应气体的电激活作用而降低了反应温度，从而在较低的温度下甚至在常温下就能在基片上形成固态薄膜

基片温控系统可以对基片的温度进行控制，满足不同基片温度下刻蚀的需要，另一套温控系统可以对腔室的侧壁温度进行控制。基片和等离子体源的距离可以在一定范围内调节。
刻蚀气体在基片的上方被引入等离子体源腔室，其流量由流量控制阀来控制，控制阀可以自动快速地调节气体流量。