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选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
热点。 SE还有哪些实现方式?未来这些方式还有无潜力可挖? 选择性发射极电池的结构在太阳能电池的众多参数中，发射极(dopant profile)是最能影响转换效率的参数之一。适当提高

所谓选择性发射极(SE-selectiveemiter)晶体硅太阳电池，即在金属栅线(电极)与硅片接触部位进行重掺杂，在电极之间位置进行轻掺杂。这样的结构可降低扩散层复合，由此可提高光线的短波响应
钝化效果 3、改善光线短波光谱响应，提高短路电流和开路电压一、印刷磷桨(云南师范) 特点：磷浆容易高温挥发，选择性不佳。也可以一次性实现选择性扩散。二、腐蚀出扩散掩膜层(南京中电

了称之为钝化发射极及背部多晶硅氧化物选择性接触(PERPloy)的新型结构的硅电池，取得了超过22%的转化效率。ISFH研究所Hasse等采用N型硅片衬底制备POLO电池，他们改善了POLO太阳电池的
有效方案。 3.2 交叉指式背接触(IBC)结构从产业化角度来看，进一步提升晶硅电池的效率主要从两方面开展工作:一方面，在现有生产线基础上进行局部改进，包括栅线电极金属化技术、选择性发射电极(SE

在光伏电池片的技术路线发展过程中，效率提高是永恒的主题。目前P型单多晶PERC电池片技术已成为市场上的主流，而选择性发射极技术(selective emitter, SE)因其提高转化效率、与
680mv，较非SE电池效率提升0.4%。摩尔光伏实验数据显示，通过优化激光掺杂选择性发射极太阳电池制备工艺，采用SE技术后，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命