/10.1038/s41560-022-01018-5,影响因子60.868)。
1977年,美国电气工程师大卫L施泰布勒(David L. Staebler)和宾夕法尼亚州立大学的电气工程 ,B掺杂p型a-Si:H薄膜的暗电导率显著上升,属于明显的反常Staebler-Wronski效应(图a)。撤去光照后,暗电导率逐渐衰减到光照前的初始值(图b)。我们发现该暗电导率的衰减行为可描述为
qualification and type approval - Part 1-4: Special requirements for testing of thin-film Cu(In,Ga)(S 、测试数据、生产过程控制、老化、失效分析等的测试要求的汇总表。
硬度试验:Type A硬度计用于封装树脂(厚样品);Type AM型硬度计将用于特定配方封装材料的区分测量(薄样品