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的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过有变压器的逆变器负极接地，消除组件边框相对于电池片的正向偏压会有效的预防PID
的出货量情况普通晶硅组件的内部结构光伏组件的转化效率 1功率我们常说，采用255Wp光伏组件。下表的p为peak的缩写，代表其峰值功率为

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广，对传
接触(PERC)电池，其LID值更是高达3%～5%;然而同为p型多晶硅电池的LID却始终较低。同样的掺硼电池，不同的晶体生长方式最终导致不同的LID值。本文着重研究LID的影响因素，以及不同晶体生长

着重研究直拉单晶硅电池及铸锭多晶硅电池衰减的差异，以及导致差异形成的原因。结果表明，该差异的形成主要受B-O 复合体、碳含量、分凝系数及金属离子的影响。引言太阳电池和发电技术的大面积推广
和局部背接触(PERC)电池，其LID值更是高达3%～5%;然而同为p型多晶硅电池的LID却始终较低。同样的掺硼电池，不同的晶体生长方式最终导致不同的LID值。本文着重研究LID的影响因素，以及不同

）系统设计原因：光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的，这就造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件，通过有变压器的逆变器负极接地
毫无疑问，光伏组件是光伏电站最重要的设备之一！本文将对光伏组件进行全方位的介绍。光伏组件的分类光伏组件的转化效率 1功率我们常说，采用255Wp光伏组件。下表的p为peak的缩写

出局。对晶体硅电池而言，提高转换效率的重要途径是改善前表面以及背表面的钝化效果。由于P型晶体硅电池的扩散层是N型导电层，使用目前的SiNx减反射薄膜内带有固定正电荷，能够起到良好的场钝化效果，使用
钝化效果的是AlOx/SiNx钝化薄膜，一方面AlOx薄膜内部的固定负电荷密度较高，能够提供较强的场钝化能力；另一方面，在高温烧结过程中，AlOx与P型硅基片界面能够形成一层1~2nm厚的SiOx层

引起的晶格缺陷使得扩散层表面载流子寿命极低）。2011年，Suniva 首先开发了离子注入太阳电池技术，实现了P型单晶电池18.6%的转换效率并将其推向商业化生产。当然，离子注入技术也可以被应用到
电池技术的研究进展图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
加一正向偏压后，p-n结势垒区和扩散区就会注入少数载流子，这些非平衡少数载流子不断与多数载流子复合而发光。EL结合红外热成像测试，可以了解电池结区有无损毁以及烧结工艺有无问题。实验中，部分110m电池