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。美高森美可以提供这样的解决方案。　　我们为不断扩大的光伏应用设计社群提供他们所需的全部技术和产品，从而将其设计快速推向市场。通过采用模拟、混合信号和数字器件的产品组合，如旁路器件、MOSFET和
上Microsemi展示哪些新的新能源方案？　　Rufino Olay：美高森美除了提供具有多种功率模块配置的功率半导体产品之外，还提供IGBT、MOSFET和FRED器件，推动实现更高效的新型转换器

另一级的纹波电流，因而可在很宽工作输入范围上去除输入纹波电流。如FAN9612交错式BCMPFC一类的控制完全能够轻松满足太阳能升压级的要求。逆变器中的升压开关有两个选择：IGBT或MOSFET。对于
需要600V以上额定开关电压的输入级，常常会采用1200VIGBT快速开关，如FGL40N120AND。对于额定电压只需600V/650V的输入级，则选用MOSFET。输出H-桥级的设计人员一直以来都

索比光伏网讯:发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。一、太阳能对逆变器的要求
（像MOSFET或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种逆变器通过增加周期内脉冲的切换次数，来降低电压、电流的谐波含量；谐波含量与脉冲切换次数呈正比。目前

索比光伏网讯:随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率
元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。IGBT技术演进日趋成熟IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N；而IGBT的基板极性为P。由IGBT

所示。选择的保险丝可以是一个用户可更换或波利热熔断器。保险丝可以提供必要的保护，但可能导致不太好的用户体验。实现二极管反向极性保护的低损耗方式是使用MOSFET，当施加的电压极性正确时MOSFET导通
主开关的温度进行监测，以确定它是否超过了最高温度水平。如果主MOSFET的温度已超过了适当的水平，过温保护(OTP)可以抑制电流以减少系统功耗。热管理NCP1294是一个低功耗器件。一旦确定了IC功耗

使用MOSFET，当施加的电压极性正确时MOSFET导通，而在电压极性不正确时关闭。图5 E所示。图5：反极性的输入端连接在第三种情况下，输出是反极性连接，输入是正确连接，功率元件可能会损坏。由于源
输出功率。OTP功能由于太阳能控制器可能以不恰当的方式使用，建议对降压主开关的温度进行监测，以确定它是否超过了最高温度水平。如果主MOSFET的温度已超过了适当的水平，过温保护(OTP)可以抑制电流以减少

损耗。IGBT技术IGBT基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(BJT)。这种设计让IGBT的栅极可以像MOSFET一样，以电压代替电流来控制开关。作为一种BJT，IGBT的电流处理能力比
MOSFET更高。同时，IGBT亦如BJT一样是一种少数载体元件。这意味着IGBT关闭的速度是由少数载体复合的速度快慢来决定。此外，IGBT的关闭时间与它的集极-射极饱和电压(Vce(on))成反比(如图3

（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像MOSFET或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种逆变器通过增加周期内脉冲的切换次数，来降低电压、电流的谐波含量
和反向恢复期间的损耗达到最小。三、IGBT抑或MOSFET在太阳能转换过程中，有各种先进的功率器件可以使用，比如MOSFET、双极结晶体管(BJT)和IGBT。为取得最佳的转换效率和性能，为太阳能

逆变器不需要外部交流电压源，整流电压由逆变器的一部分储能元件（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀（像MOSFET 或IGBT）的电阻值来实现。输出电压被脉冲调制的自励逆变器被称为脉冲逆变器。这种
同一边上的IGBT永远不可能以互补方式开关；跨接低压端IGBT的同封装、超快速、软恢复二极管经过优化可以使续流和反向恢复期间的损耗达到最小。　　三、IGBT抑或MOSFET　　IGBT