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MOSFET、传感器、非隔离驱动、接口、通用电源、通用运放等诸多产品，覆盖光伏逆变器、储能变流器、光伏阵列/优化器和储能电池/BMS等多个领域，为光储应用提供高可靠性的系统级解决方案。02、光储系统的发展趋势及
MOSFET产品;以及带米勒钳位功能的隔离驱动芯片NSI6801M(避免功率器件误导通)和带DESAT保护功能(过流时保护功率器件不被损坏)的NSI68515，以更好地适配第三代半导体和高开关频率

2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。会议上，湖南三安发布了最新的1200V 碳化硅MOSFET系列产品。9月2日，湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新
。议程报告从政策、市场、技术创新和生产制造以及应用等多方面深入探讨了电驱动技术相关话题，共同促进新能源汽车行业和电驱动技术的繁荣发展。作为峰会亮点，湖南三安发布了最新的1200V碳化硅MOSFET系列

IGBT和MOSFET，用于功率变换，IGBT功率较大，主要用于中大功率逆变器，MOSFET功率较小，主要用于中小功率逆变器;IC芯片包括微处理器，如MCU(单片机)、DSP(数字信号处理)、ARM
Mitsubishi、西门康semikron，东芝TOSHIBA等，而中国大陆功率半导体市场占世界市场的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上，主要依赖进口。逆变器的好坏

光伏逆变器应用且基于CoolSiC沟槽栅设计的碳化硅MOSFET产品，助力终端应用小型化，提高产品的功率密度与转换效率，压缩系统成本。图源：阳光电源 2020年，英飞凌为阳光电源打造了
。功率模块拓扑图源：安森美上图为该全碳化硅功率模块的内部电路拓扑，模块内部由两个相互独立升压级和一个热敏电阻构成，其中MOSFET采用的是耐压等级为1200V，导通电阻为40m的碳化硅

功率半导体就是其中电能转换和控制的核心，主要用于改变电压和频率。其实当时用于控制电机转速的MOSFET已经是比较好的功率器件了，它能够以可变频率向电机组输出功率;但是由于MOSFET只能应用于低压
场景中，并不足以满足高电压下对输出电压的准确调节。 1980年，美国通用电气的工程师Jayant Baliga发明了一种兼具MOSFET管和双极型晶体管(BJT)优点的复合型元器件绝缘栅双极晶体管

12月31日，露笑科技（SZ:002617）在投资者互动平台上表示，目前碳化硅SBD二极管和MOSFET管，可以广泛应用于新能源汽车、光伏等各个领域。公司的碳化硅衬底片车企和光伏领域都能应用。目前公司一期项目已正式实现投产，后续会根据市场订单情况完成产能的进一步扩张。

的市场增长动力，预计到2025年，国内汽车功率半导体市场规模将达到270亿元。除新能源汽车外，风电、光伏等应用市场容量持续扩张，带动以 MOSFET 和 IGBT 为代表的功率半导体需求持续提升
，推动功率半导体通过创新融入碳中和战略蓝图。此外，家电变频化趋势使得晶闸管、IGBT和MOSFET等功率半导体器件需求大幅上涨，也进一步驱动了功率半导体市场规模的高质量增长。功率半导体面临千亿级

集中式逆变器的主要原因在于成本高昂，单机最大功率也受到功率器件、线路布置等限制，但得益于上游IGBT和MOSFET等核心元器件的迭代升级，叠加功率模块技术不断发展，组串式逆变器单机功率密度不断提高，价格
技术升级助力降本增效：在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右，却是系统能量损耗的主要来源之一，使用SiC MOSFET功率模块的光伏逆变器转换效率可从96%提升至99