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200V直流输入可以由与太阳能阵列电池板相连的DC/DC电压转换器产生。针对这类应用有各种先进的功率器件可以使用，比如MOSFET、双极结晶体管(BJT)和IGBT。然而，为取得最佳的转换效率和
性能，为这种太阳能逆变器选择正确的功率晶体管极具挑战性，而且非常耗时。多年来的研究表明，IGBT可以比其它功率器件提供更多的优势，其中包括更强的电流处理能力、用电压(而不是电流)方便地实现栅极控制

不一致的时候)。元件供应短缺去年和今年的部分时间，逆变器产能不足成为重要问题。但现在电子元件短缺已成为逆变器厂商需要经常面对的挑战。最难买的元件是IGBT模组。这些器件供应短缺，许多逆变器厂商抱怨
将成为半导体供应商的10亿美元市场。除了IGBT，MOSFET、整流器、DSP控制器、FPGA、ASIC和闪存，将大量用于生产逆变器。这是一个非常可观的市场机会，值得投资。

极性晶闸管（IGBT）模块的供应问题已经成为诸多光伏逆变器生产商共同面对的难题。根据市场调查公司的了解，作为市场供应和需求均可预算的太阳能业内成熟产品，IGBT模块正历经一个销售旺季，其应用领域包括自动
电子、光伏和风力逆变器。与传统的IGBT投资项目相比，IGBT即将处于供不应求的状态。iSuppli表示，其他供应不足的光伏逆变器器件还包括基于数字信号处理器（DSP）的控制器和相关型号的电容

逆变器。　5．按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管（IGBT）逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断
能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通晶闸管即属于这一类；后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管（IGBT

趋势。例如，由于需要提高输入电压以获得更高的效率，所以必须使用650V或以上MOSFET/IGBT。此外也需要使用SiCSBD作为成套解决方案。另外，要扩大10kW以上市场份额，就必须使用IGBT
/SPM模块。对于10kW以下并网光伏逆变器解决方案，飞兆半导体提供场截止(FS)IGBT和SupreMOSMOSFET器件，具备进入这一高性能市场所需的低EOFF优势和高可靠性。对于微型逆变器，飞兆半导体拥有中等电压MOSFET和SupreMOS技术，可为这类应用提供卓越性能。

IGBT和碳化硅二极管PrimePACK模块，规格为600A 1200V。这些功率器件有助于推动100KW以上的太阳能逆变器效率达到一个更高的水平。此外，英飞凌的构槽栅场终止技术FieldStop
IGBT、CoolMOS、碳化硅二极管SiC在高能效的太阳能逆变器也有出色的表现。IR也是太阳能技术的先驱。Alberto Guerra介绍，早在60年代初期，IR生产的太阳能电池片便用于首个卫星之上

十一前夕，深圳中洋田电子技术有限公司负责人来辽宁锦州洽谈在光伏产业园区投资建厂事宜。经协商，最后签订了在锦建设聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT项目合作协议。锦州光伏产业园迎来又一重大项目：总投资12
亿元的深圳中洋田电子技术有限公司聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT（绝缘栅双极型晶体管）项目，目前该公司正在办理核名注册等手续。　　(编辑:xiaoyao)

　　锦州光伏产业园迎来又一重大项目：总投资12亿元的深圳中洋田电子技术有限公司聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT（绝缘栅双极型晶体管）项目，目前该公司正在办理核名注册等手续。　　“十一”前夕，深圳中
洋田电子技术有限公司负责人来锦洽谈在光伏产业园区投资建厂事宜。经协商，最后签订了在锦建设聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT项目合作协议。协议签订后，市光伏产业发展局工作人员带领中洋田公司及中国电子工程设计

帮助读者了解这一特殊应用领域的独特技术挑战和把握这方面的商机，本刊特别采访了目前在IGBT和MOSFET等大功率器件领域全球领先的供应商IXYS的副总裁Bradley Green。当前随著中国政府加大对
。IXYS是一家专业功率半导体的供应商，我们宽广的功率产品线可以覆盖所有功率等级风力发电系统的需要。IGBT(绝缘栅双极晶体管)是现在最常用的一种开关器件，它用于将风力产生的电能转变为适合电网需要的

的区别还在于输出级。然而，在并网连接系统中，大多数情况下，DC/AC级由600V的功率MOSFET和/或IGBT所构建，离网系统则使用为电池级馈送的低压输出，主要的应用包括太阳能街灯照明或使用48V
电压轨输出的太阳能辅助电信系统。在48V系统中，则一般选择100V的功率MOSFET来构建全桥逆变器。下文也将会对太阳能逆变器中的MOSFET和IGBT的使用进行详细介绍。　　系统效率可能