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和阻断电压高的优点，但开关频率不高，驱动电流较大。第三代是MOSFET，它是一种电压控制型器件，控制功率极低，开关频率高，但输出特性不好。每四代是绝缘栅晶体管(IGBT)，它是一种用MOS栅控制的
晶体管，它集中了GTR和MOSFET的优点，驱动电路简单和开关频率高，和MOSFET相似，输出电流大和GTR相似，第五代是加入SIC碳化硅材料的MOSFET和IGBT以及碳化硅肖特基二极管。碳化硅

，而其核心元件为绝缘栅双极晶体管(IGBT)，这种晶体管具有驱动电流小、导通电阻低跟耐高电流优势，一台电动汽车约需要 100 个 IGBT 模块，占整体成本的 7-10%，是除电池之外成本第二高的
元件，也是电动汽车能源效率的关键。晶体管也常用在太阳能逆变器中，IGBT 又能比其他功率元件提供更多效益。逆变器主要负责将太阳能发出的直流电转换成家庭可用的交流电，一般由升压回路和逆变桥式回路构成

意法半导体公司(STMicroelectronics)12月1日发布了光伏发电逆变器(PCS)用的1200V耐压新型绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 1200V耐压的新型绝缘栅双极晶体管封装外观
。该IGBT为进一步降低通态电压，减少开关损耗，提高了沟槽栅场终止结构水平。由此可大幅提高逆变器的坚固性和转换效率。通过优化导通特性和断路特性，并降低开关侧发生的断路损耗，使之成了最适合硬开关电路

。功率开关的两个选择是MOSFET和 IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的开关频率下。此外，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式下体
有采用TO-220封装、RDS(ON) 值低于100毫欧的MOSFET和采用TO-247封装、RDS(ON) 值低于50毫欧的MOSFET。对于需要1200V功率开关的太阳能逆变器，IGBT是适当的

转换器。根据逆变器所采用的阵列中太阳能模块的数量，来选者使用600V还是1200V的器件。功率开关的两个选择是MOSFET和IGBT。一般而言，MOSFET比IGBT可以工作在更高的开关频率下。此外
MOSFET。对于需要1200V功率开关的太阳能逆变器，IGBT是适当的选择。较先进的IGBT技术，比如NPT战壕和NPT领域停止，都针对降低导通损耗做了优化，但代价是较高的开关损耗，这使得它们不太

导读：为了得到高达20kHz的开关频率，赛米控在SKiM功率模块中集成了三电平逆变器结构。SKiM IGBT产品组合为光伏和UPS市场上提供了最优的效率。相对于标准两电平解决方案减少的损耗，用于
三电平逆变器的SKiM 在15 kHz频率范围内可减少高达10%的损耗。用于三电平DC/AC 变换器的IGBT功率模块： 50kW - 250kW 为了得到高达20kHz的开关频率，赛米控在

)。由于在电网上(交流侧)需要不能超出的低直流值，因此偏移和温度漂移必须尽可能最好。对电网连接的另一个要求是不能将直流电流供进电网。由传感器偏移或IGBT通信产生的直流电流可能会引起网络麻烦。该电流
IGBT切换延迟而产生的直流偏移或使其尽可能的小。该直流偏移可导致网络分配变压器产生饱和。为了减小这个直流偏移，正在开发新的逆变器拓扑技术。 HMS电流传感器外形尺寸仅仅为16 (长) x 13.5

的快速崛起。另外，英飞凌一家独大，这主要体现在两个方面。一是，占据18.6%的份额，达到33.41亿美金(约是第二名的两倍)，同比增长16.8%。二是，在细分的功率MOSFET、IGBT分立器件、标准
IGBT模块市场份额均全球第一。下面我们来看一看排名前五的公司都有哪些?(数据来源于IHS) 分立IGBT器件领域的前五强占据全球该领域约70%的市场份额，它们分别是英飞凌(Infineon