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太阳电池芯片、组件、太阳能应用产品、太阳能发电系统、太阳能集热板及热水器系统。高管成员一览表：序号姓名性别年龄学历职务 1陈五奎男59硕士董事长，法定代表人，非独立董事，总工程师 2刘强男
省级重点研究院、省级晶体装备研究院等研究平台。自主研制的产品广泛应用于半导体、光伏、IGBT功率器件、LED光电子以及蓝宝石窗口材料等领域，公司是国内技术领先、国际先进的半导体硅材料、光伏硅材料

采用晶体管(IGBT)技术的高频在线互动式UPS的满载效率可达到95%-97%。更加高效，热量更少当今的UPS的能源效率提高了15%，而冷却需求却在下降，提高了其可靠性。模块化UPS的平均故障间隔时间
更节能高效采用经济模式运行的UPS，具有极大的优势，但最新开发的碳化硅技术可能会抵消经济模式的优势，目前晶体管制造都是传统可控硅器件，对于UPS来说，绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的功能越来越强大且

。采用IGBT5 .xt技术的新一代PrimePACK?3可以使得单机容量做到1MW以上，真正体现1500V光伏系统的价值。为推动1500V光伏系统技术，我们在和有设计咨询能力第三方实验室及认证机构
最高的效率为目标。中国逆变器企业必须要有创新才能赢得这一市场，他们的技术一定是多元化，需要定制一些IGBT模块来帮助客户和行业实现技术超越。为了加强与客户的技术合作，提高对中国客户的支持水平，我们建立

组件，电感的端子与PCBA下层进行电气连接如图一模型图一二、拓扑：拓扑设计可参考HERIC(高效率和可靠逆变器概念)如图二，这样的拓扑结构在交流侧增加了一个采用两个背靠背IGBT器件
光伏行业的发展，针对上述HERIC拓扑，可以在专利方面做些规避。比如可以在图二的S1管或S3管与BUS+串入一个处于常通状态的IGBT，综合看比H6的成本更低，从研发经验看layout走线较为顺利，可

MPPT技术是可以提升发电量的关键因素之一；目前市场上的单相逆变器基本只做到了最大2路MPPT。采用最新第五代德国英飞凌IGBT芯片技术，目前市面上常规采用第三代，第五代比前一代IGBT提升
0.5-0.8%效率。全新美国TI2806系列DSP芯片技术，CPU处理速度和PWM分辨率比市面上普遍采用的2803系列增加50%。逆变器开关频率突破30kHZ，而普通逆变器的开关频率都在20kHZ或者以下，这不

国内市场上应用较多的用于绞车的国产单元串联多电平变频器的功率单元多是两电平H桥逆变结构，采用有速度传感器的矢量控制或者采用改良V/f控制的方式，国内采用V/f控制占主流，功率单元采用IGBT的AFE的
，在电能大量从电机灌回变频器时，经常因为AFE前端来不及将大量的能量回馈到电网而导致功率单元直流母线电压升高，造成铝电解电容过压损坏。受到电解电容耐温和IGBT过热保护的影响，一般单元过温保护阀值为

之间，还应当设置共模滤波器，防止对太阳能电池的电磁干扰。2.电力电子器件用于太阳能光伏发电系统逆变器（含输入直流斩波级）的功率半导体器件主要有MOSFET、IGBT、超结MOSFET。其中MOSFET
速度最快，但成本也最高。与此相对的IGBT则开关速度较慢，但具有较高的电流密度，从而价格便宜并适用于大电流的应用场合。超结MOSFET介于两者之间，是一种性能价格折中的产品，在实际设计中被广为应用

。 1、集中型逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的
太阳电池组件输出变小，逆变器输出接近0时，逆变器便形成待机状态。 (2)最大功率跟踪控制功能太阳电池组件的输出是随太阳辐射强度和太阳电池组件自身温度(芯片温度)而变化的。另外由于太阳电池组件具有

三个模块构成。其工作原理为由外部CT检测系统的电流信号，上传控制系统后由控制芯片分析出当前运行状态；经过计算后由控制器下达补偿的控制指令，触发电力电子变频设备发出无功功率进行补偿。SVG静止无功发生器
采用IGBT（可控硅）组成自换相桥式电路，与电抗器组合联接后，并联在电网上，通过调节桥式电路交流侧输出电压的幅值和相位，或者直接控制其交流侧电流，达到迅速吸收或者发出所需的无功功率的目的，实现快速动态

运算及补偿输出三个模块构成。其工作原理为由外部CT检测系统的电流信号，上传控制系统后由控制芯片分析出当前运行状态；经过计算后由控制器下达补偿的控制指令，触发电力电子变频设备发出无功功率进行补偿
。 SVG静止无功发生器采用IGBT（可控硅）组成自换相桥式电路，与电抗器组合联接后，并联在电网上，通过调节桥式电路交流侧输出电压的幅值和相位，或者直接控制其交流侧电流，达到迅速吸收或者发出所需的无功功率的

，只用螺丝安装，快速简易。同时芯片烧结连接带来最高可靠性，可预涂层热硅脂，导热性能优秀，温度循环能力提高15倍。从SKiM63/93IGBT功率模块到SKAI 2 HV逆变器，都是赛米控专门为
控还提供一款100%无焊接的IGBT功率模块SKiM63/93(见图3)。SKiM63/93具有三相逆变器拓扑结构，电压等级分为600V、1200V或1700V。，SKiM63/93不需要焊接步骤

整体推进速度,预计度电成本有望低于0.5元/kWh,2014年和2015年电站实现净利润大约为3.61亿、11.56亿元,贡献EPS为0.28、0.63。8寸区熔单晶和IGBT功率器件是半导体业务看点
。公司区熔单晶的行业龙头地位稳固,市占率超70%,盈利能力稳定,公司已成为国内唯一一家(全球第二家)实现8英寸区熔单晶量产的企业,随着半导体芯片向大直径方向发展,未来产品的推广有望成为公司新的利润增长

。 1、集中型逆变器集中逆变技术是若干个并行的光伏组串被连到同一台集中逆变器的直流输入端，一般功率大的使用三相的IGBT功率模块，功率较小的使用场效应晶体管，同时使用DSP转换控制器来改善所产出电能的
太阳电池组件输出变小，逆变器输出接近0时，逆变器便形成待机状态。 (2)最大功率跟踪控制功能太阳电池组件的输出是随太阳辐射强度和太阳电池组件自身温度(芯片温度)而变化的。另外由于太阳电池组件具有