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国Solar Junction公司在铜铟镓硒（CIGS）、砷化镓（GaAs）两种主流技术方面取得了重要突破。在CIGS技术上，汉能的柔性CIGS薄膜太阳能组件全面积量产转换效率为16.5%-17
%，2020年可达到19.5%左右。在GaAs技术上，汉能的子公司Alta Devices创造了柔性双结非聚光GaAs 薄膜太阳能电池31.6% 的世界纪录；美国Solar Junction公司已开始应用于航天

年，中国的汉能薄膜将美国Alta Devices公司收为旗下，当时Alta Devices掌握的砷化镓(GaAs)柔性薄膜电池技术是世界最领先的薄膜太阳能电池技术，其双结电池片的发电效率已达30.8
接合，形成以硅材为基础的次电池。而透过堆叠磷化铟镓(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)等三种次电池所构成的多接合电池，能吸收更广光谱的太阳光，转换效率也能大幅提升

电池技术世界纪录。但是还面临将此实验室研究技术创新投入到批量生产的挑战。编辑点评：2015年，中国的汉能薄膜将美国Alta Devices公司收为旗下，当时Alta Devices掌握的砷化镓（GaAs）柔性
真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。而透过堆叠磷化铟镓（GaInP）、砷化镓（GaAs）、硅（Si）等三种次电池所构成的多接合电池，能吸收更广光谱的太阳光

硅的多结太阳能电池，由各太阳能电池单元材料相互重叠构成。即隧道二极管将镓铟磷（GaInP）、砷化镓（GaAs）、硅三个材料层进行内部连接，以覆盖太阳光谱的吸收范围。最上面的GaInP层吸收300
～670nm波长、中间的GaAs层吸收500～890nm波长、最下层的硅吸收650～1180nm波长的太阳光，并将其转换为电力。Ⅲ-V族半导体层是在GaAs基板上外延析出形成，与硅基板接合。虽然从外观无法

支持2名航天员在轨工作、生活30天的能力。　　天宫二号升空进入预定轨道光伏系统帆板展开据资料介绍，砷化镓太阳能GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50多年的历史。1954年世界上
首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的转换效率，GaAs单结

居环境进行了重大改善，具备支持2名航天员在轨工作、生活30天的能力。天宫二号升空进入预定轨道光伏系统帆板展开据资料介绍，砷化镓太阳能GaAs太阳电池的发展是从上世纪50年代开始的，至今已有已有50
多年的历史。1954年世界上首次发现GaAs材料具有光伏效应。在1956年，LoferskiJ.J.和他的团队探讨了制造太阳电池的最佳材料的物性，他们指出Eg在1.2～1.6eV范围内的材料具有最高的