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?启示：适当金额标准的独立性US-AD/CVD on China案(DS379)主要讨论了反补贴税中的适当金额标准的法律地位问题，即适当金额是否独立于补贴金额。鉴于反倾销税和反补贴税在税额确定方面
不超过该限度，税额即是适当的。上诉机构则认为，依据条约有效解释原则，如果将适当金额依附于补贴金额，则会使适当金额的规定变得多余。在上诉机构看来，补贴金额仅是适当金额的数量上限。如果将US-AD/CVD

的硅烷法&流化床生产的改造方案。典型的多晶硅工厂改造项目需要以下几个关键步骤：工厂现状为冷氢化或者热氢化三氯氢硅生产线配合西门子CVD还原炉第一步: 三氯氢硅合成单元改造
成硅烷生产单元; 保留西门子CVD还原炉第二步: 将西门子CVD还原炉升级为流化床沉积技术分步式多晶硅工厂改造具备以下特点：尽可能的保留原有投资技改新投资最小化

原料；用硅烷热分解（CVD）法生产的高纯多晶硅广泛应用于半导体行业。记者了解道，精功新材料的歧化法硅烷技术是采用三氯氢硅为原料，在催化剂的条件下岐化为二氯二氢硅并进而岐化成硅烷，经提纯后制得高纯硅烷气的
，能够在装置建设全过程提供优质的服务，确保项目的高效实施和装置的顺利达产。该负责人还向记者透露：同时依托上市公司精功科技强大的装备设计制造能力，精功新材料与精功科技正在联合开发硅烷CVD炉和新型硅烷流化床。相信在不久的将来，精功会再为中国的光伏行业献上一份厚礼。

估算预计，相对于体Ge衬底，厚度为5微米Ge层吸收GaAs过滤光的～85%。这一估算指出，在硅上用外延Ge的三结太阳能电池的性能不会受阻。在我们的设计中，Ge层用UHV-CVD工艺淀积，其中的乙锗烷和锡
这种低温CVD方法对100和150mm硅片格式的可扩展性。为此，我们设计了多硅片反应器，它能一次加工一批25硅片。结果显示Ge薄膜质量及厚度均匀性非常好(超过90%)，不仅一片硅片上如此，而且整批的片对

流体动力学。这些方程代表快速动力学，它们在稳态时用COMSOL多物理模拟系统求解。流化床温度剖面及体积分数剖面从计算流体动力学(CFD)模块送到化学汽相淀积(CVD)模块。硅生产速率作为群体平衡模块
(PBM)的输入，后者计算微粒尺寸分布函数。尺寸分布模块输入到CVD模块和CFD模块以启动下一次迭代。这些模块如何连接的简要描述在下面给出。详细说明可向作者索要。计算流体动力学COMSOL流体流动模型与比例