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本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
：组件功率损失=(理论功率-实际功率)/理论功率。通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率

索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
：组件功率损失=(理论功率-实际功率)/理论功率。通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小

，稳定衰减方面，单多晶一线品牌都提供线性质保0.7%。CTM封装损失CTM(Cell-to-Module)：即从电池到组件的功率封装损失，电池片在封装成为组件的过程中，封装前后发电功率会变化，通常称为
CTM。CTM实测：单晶较多晶高2.0%以上，同样效率电池封装成组件，单晶功率低于多晶。单晶封装损失：2-5%多晶封装损失：-1~1%图3显示，单晶CTM均在2.0%以上，甚至高达5%，而多晶则在0.5

是单晶还是多晶的硅片关系不大，稳定衰减方面，单多晶一线品牌都提供线性质保0.7%。2.CTM封装损失CTM(Cell-to-Module)：即从电池到组件的功率封装损失，电池片在封装成为组件的过程中
，封装前后发电功率会变化，通常称为CTM。CTM实测：单晶较多晶高2.0%以上，同样效率电池封装成组件，单晶功率低于多晶。单晶封装损失：2-5%多晶封装损失：-1~1%图3显示，单晶CTM均在2.0

，开辟了湿法黑硅技术产业化的新纪元。本文主要从技术优势、成本优势、关键技术、以及产业化进程几个方面介绍湿法黑硅技术。关键词：湿法黑硅;MCCE;金刚线切割;电池效率;CTM 1、引言
电池效率转化成组件CTM至关重要。湿法黑硅技术是通过提高电池的短波响应来提高光电流。图4是典型的湿法黑硅电池与常规多晶电池的量子效率以及反射率曲线。图4 湿法黑硅

，开辟了湿法黑硅技术产业化的新纪元。本文主要从技术优势、成本优势、关键技术、以及产业化进程几个方面介绍湿法黑硅技术。关键词：湿法黑硅；MCCE；金刚线切割；电池效率；CTM1、引言多晶电池效率的提升受制
电池工艺，确保效率提升和关键电性能参数的稳定，对黑硅电池效率转化成组件CTM至关重要。湿法黑硅技术是通过提高电池的短波响应来提高光电流。图4是典型的湿法黑硅电池与常规多晶电池的量子效率以及反射率曲线

通过采用名为PERC(Passivated Emitter and Rear Cell：背面钝化型电池单元)的电池单元实现的。单元上的粗电极(母线)为5条。据称由此降低了串联电阻、提高了CTM(单元对模块)效率和可靠性。电池板沿用了以往的60单元多晶硅型和单晶硅型两款产品采用的技术。