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纯载流子浓度、少子寿命可以得出杂质的间接测量结果，FTIR可以得出间隙氧和替位碳的浓度，低温FTIR和PL可以得出B、P、Al的浓度，但是我们必须考虑到贯穿区熔硅锭的杂质分凝系数（SEMI MF
小时内完成分析。SIMS能够测量周期表里的所有元素，测量和元素的电活性或化学态无关。SIMS测量对于掺杂元素(dopant)（B, P, As, Sb, Al, In）和气体元素(H, O, C, N

激光加工将怎样以及为何在太阳能技术路线中起到越来越重要的推动作用。我们还特别研究那些目前从事或即将进入设备供应链的供应商们所面临的新挑战。　　由于多种太阳能电池技术在相互争夺市场份额，人们研究各种
终端使用物专用的设备由这些类别的子集来驱动，受到特定的电池技术及其成本缩减技术蓝图的综合作用。　　高效概念　　提高太阳能电池和面板的效率几乎是全球每位太阳能厂商最急于实现的愿望。大多数已提

一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B
H2O2+D1.H2O 1：1：5或 0.5：1：5去有机杂质，金属离子，颗粒沾污HPM=HCL+ H2O2+D1.H2O 1：1：6去金属离子Al、Fe、Ni、Na等如再结合使用双面檫洗技术可进一步降低硅

工艺技术、产品质量都得到了长足的进步：部分替代进口，而且批量出口，国产坩埚在国际市场争得了一席之地。但是应该看到，国产石英坩埚与国外高品质的石英坩埚在工艺技术和产品性能方面还有一定的距离
，国内坩埚厂家的标准与国际标准一致。但是，国内坩埚厂家主要列出了A1、Fe、Ca、Cu、K、Na、Li、B等8种杂质含量的指标，而GE标准除这8种元素外还列出了As、Cd、Cr、Mg、Mn、Ni、P、Sb