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综合

沉积法(PECVD)沉积厚度为80nm的SiNx。最后丝网印刷、烧结制作成电池。采用扫描电镜（SEM）研究黑硅的微观形貌，采用带有积分球探测器的紫外可见近红外（UV-VIS-NIR）分光光度计测试
、C3条件黑硅表面的小山峰浓度和高度比C4、C5低。这是因为HNO3比NaNO2的氧化能力强。不管是那种刻蚀溶液，反应时间越长，小山峰的密度和高度越低。利用带有积分球探测器的紫外可见近红外