,近期受重视的高效率单晶N型矽晶圆、电池领域,目前技术难度较高的是太阳能电池部分,即使单纯投入单晶N型量产,对当下诸多以多晶P型为主的台系太阳能电池业者而言,设备依然要更改。若要朝日本三洋为代表的 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin Layer)、Sunpower的背接触型太阳能电池(Interdigitated Back Contact;IBC)及荷兰
高效率太阳能电池板、带内部薄层(HIT)以及埋入触点技术的异质结,从而走在竞争队伍的前列。Lux分析师兼报告的主要作者Pallavi Madakasira表示:传统上,SunPower和三洋等x-Si电池 Lux Research的最新报告《穿越高效多晶硅之路:谁主沉浮,而又如何进行到底?》(Traversing the Road to Higher Crystalline Silicon