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(低于 200℃)，可降低制造流程中的能耗及对硅片的热损伤;6)温度系数低，在高温及低温环境下均具备较好的温度特性。以 N 型硅片为衬底，经过制绒清洗后，在正面依次沉积 5-10nm 本征非晶硅
薄膜和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面

先进性介绍》，TopCon 电池片具备以下技术特点： 1) 离子注入掺杂多晶硅钝化技术通过离子注入进行掺杂，可以控制掺杂原子的剂量和在非晶硅中的分布，避免常规扩散掺杂长时间的高温过程对隧穿氧化层及
非晶硅做发射极，具备双面对称结构。电池正表面，空穴通过高掺杂的 p 型非晶硅，构成空穴传输层;电池背面，电子通过高掺杂的 n 型非晶硅，构成电子传输层。光生载流子在吸收材料中产生，只能从电池的一个

，2019年三季度末存货达到20.19亿元，充足的在手订单能够确保明后年业绩的稳定增长。 HJT电池分为四道工艺，制绒清洗、非晶硅镀膜、TCO镀膜和丝网印刷。公司率先突破：1)开拓适用于HJT电池的丝网印刷
设备;2)研制HJT非晶硅镀膜的核心设备板式PECVD，并具备整线供应能力。目前公司自主研发的这两款设备正在产线上验证，预计2020年Q1出具结果，公司有望率先受益于HJT电池扩张周期。此外

拉巴校区的伯拉理工学院、印度理工学以及印度国防材料研发机构的科学家们表示，采用松下的非晶硅电池作为测试对象，浸在水中的太阳能电池相对来说处于一个较低的温度，是理想的清洁环境。然而，在水中受到的太阳能辐射
明显降低，在引用另一项研究时，科学家小组表示，单晶和多晶硅电池在1米深的水下时，转换效率会下降20%，但是非晶硅类电池在1.5米深的水下转换效率降低的较少，这一对比数据令人兴奋：剩余的转换效率就足以

之一。异质结电池的核心特点就是高开路电压，这来自于构成其 PN 结的材料是不同种类的，理论上就比同质结电池的电压要高。但其特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化，对设备、工艺、环境、操作水平等要求非常高
。需要从非晶硅界面钝化、TCO 光吸收损失、金属化电阻损耗三方面进行努力，对应的工艺流程为 CVD、PVD、丝印三个步骤。这个三大难点克服，不仅仅是工艺的问题，还涉及到设备和材料的配套和改进

技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线
之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前行业内关注并研究异质结电池技术的企业有日本松下(量产规模1000MW)、美国

自主研发同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅光伏电池芯片的企业。目前拥有深圳光明、四川乐山、陕西渭南、新疆喀什、青海西宁、青海海西、陕西西安七大产业基地，拥有全球最完整、从砂到电的非晶硅光伏电池产业链，拥有

太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。相比于传统的太阳能电池， HIT电池的在效率