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、非晶硅薄膜沉积设备(PECVD或者Cat-CVD)、TCO膜沉积(PVD或者CVD)、丝印与烧结设备等，目前对应设备投入约4.5亿/GW。值得注意的是，虽然某些工序/设备名称一样，但是实际区别较大
薄膜。在PERC中用来沉积SiNx薄膜与钝化AlOx薄膜，在TOPCon中用来钝化氧化硅薄膜与沉积本征多晶硅薄膜，在HJT中用来沉积非晶硅薄膜，因为沉积的薄膜不同，设备的构成、镀膜速度、投入等存在巨大

使命，全力推动光伏产业的可持续发展。 HJT研发总监王继磊表示，本次高效异质结电池是对界面态处理、非晶硅生长、TCO沉积、金属化等技术进行全面升级并结合多项自主研发技术整合的最新成果，是整个异质结团队包括研发、设备、生产长期磨合所形成的高效配合的结晶，整个团队将会全力以赴向更高的目标迈进。

及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层，从而形成高效光伏电池。区别于常见的丝网印刷银栅线的硅异质结电池，C-HJT电池的特点在于其采用金属沉积的方式制备铜栅线，使栅线具有更加优化的高宽比，提高了短路电流，提升了电池的转换效率，同时铜栅线在材料导电性及成本上也更具有优势。

。在这个过程中，泰州市发展光伏产业的支持政策愈发成熟。 12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。来自全国各地的
沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，被认为是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。与主流的高效光伏电池PERC相比，异质结转换效率和发电量都更高，且具备更强的技术延展空间

中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上，中科院电工所太阳能电池研究部主任王文静表示，PERC电池的产业化最高效率约为24.6%，而异质结、TOPCON
在未来三年左右可降至0.8元/W，产品效率大幅提升，凭借更高性价比赢得更高市场份额。 27%!更高转换效率与其他技术路线相比，异质结电池生产步骤较少，仅制绒清洗、非晶硅镀膜、TCO膜制备

HJT的主要生产工艺有制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备和丝网印刷四步，其中TCO制备是生产HJT电池的第三道核心工序，高质量的TCO薄膜能有效提升HJT电池的整体转换效率。目前TCO镀膜设备
，在首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上，捷佳伟创副总经理陈麒麟博士强调，TCO镀膜技术是推动常规异质结迈向高效异质结的关键技术。目前异质结量产

12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。来自全国各地的300余位嘉宾汇聚一堂，共同探讨异质结电池技术的发展与未来，身处
。苏州协鑫纳米总经理范斌：钙钛矿的制造工艺几乎与晶硅没有任何关系，制造尺寸越大，单位面积生产成本越低，但把非晶硅制造并没有形成优势，⼀是因为非晶硅技术本来就没有希望，二是因为过高的工艺温度容易导致

12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。论坛以太阳谷高效异质结、全球绿色能源新起点为主题，探讨在新一轮科技革命和

钙钛矿技术的未来：1)HJT电池蓝光响应差，需要顶电池来吸收短波光线;2)HJT电池本身的非晶硅/纳米硅镀膜工艺、ITO镀膜工艺与叠层工艺契合;3)HJT电池的低温、无水工艺工程与钙钛矿技术相匹配;4
，可以获得更好的钝化效果;2)结区界面处最先得到保护，防止p-side在in镀膜时遭受磷污染;3)相对更高的i-layer沉积温度，获得高质量i层。三、异质结电池应该有自己的PECVD HJT非晶硅

、增加光伏可靠性和稳定性等都有积极意义，前景较为广阔。周浪：中国已主导光伏行业材料选择仍有空间下午演讲的首位嘉宾，是我们非常熟悉的南昌大学光伏研究院院长周浪教授，周院长为我们带来《非晶硅
决定者。总而言之，国内光伏产业就像美国主导IT业、德国日本主导汽车业一样，站上了世界第一梯队。周浪表示，非晶硅/晶体硅异质结(Heterojunction of Amorphou silicon

平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而
、丝网印刷和光注入退火五个环节，对应设备分别为制绒清洗设备、PECVD 设备、PVD/RPD 设备、丝网印刷设备和光固化炉。HJT 特殊的晶硅/非晶硅界面态钝化结构对工艺、设备、生产环境、操作