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太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。相比于传统的太阳能电池， HIT电池的在效率

薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和CdTe 薄膜太阳能电池等。虽然这些太阳能电池占据了柔性薄膜太阳能电池大部分的市场份额，但这些
晶体硅薄膜电池、非晶硅薄膜电池、铜铟镓硒薄膜电池还是 CdTe 薄膜电池，都无法满足空间站、载人探月、深空探测这类大功率航天器对高效薄膜太阳能电池的需求。级联多结砷化镓太阳能电池具有光电转换

10GW的异质结电池生产线项目。山煤国际称，钧石能源HDT技术属于异质结电池技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大
规模生产能否顺利进行，存在不确定性。异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前

。异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是
光伏电池的发电结构，由于非晶硅薄膜横向导电性不好，如果直接在非晶硅薄膜上印刷电极，会有部分电流无法收集，所以还需要在非晶硅薄膜两侧沉积一层金属氧化物导电层，英文缩写是TCO，说的简单点就是一层透光性很好的

转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是
异质结电池则是指p-n结由非晶硅和晶体硅两种材料形成的电池，其中含本征非晶硅薄膜的异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer，HIT/HJT，下称

不仅带来了额外的设备投资要求，还对生产电池片的良率和生产效率造成一定程度的影响。 HJT电池优于PERC电池的之处在于非晶硅薄膜的沉积，故也导致了两者制备工艺上最大的不同。虽然PECVD作为沉积镀膜的
200MW产线)。 非晶硅薄膜沉淀设备：HWCVD设备主要厂商为ULVAC;PECVD设备主要供应厂商为梅耶博格、应用材料、理想万里晖、钧石。迈为股份和捷佳伟创已有CVD产品储备，仍在试验中。国内的

，并在电池顶部设计透明导电的TCO薄膜：(1)非晶硅层可有效降低表面悬挂键的密度，从而达到良好的界面钝化作用;(2)TCO薄膜可以实现导电、减少反射、同时保护非晶硅薄膜等重要作用。HJT电池具有开路
电压高、温度系数低、结构对称、能耗低、光照稳定性强、双面发电等优势，从而使得HJT电池具有更强的发电能力;在后续的优化中，HJT与IBC已经有了结合案例，未来与钙钛矿结合也值得期待。 非晶硅薄膜沉积

HJT、HDT、SHJ。该技术是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势。是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。据招商证券报告，HIT电池结构是以N型单晶硅片作衬底，正反面个
三层薄膜(本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜、金属氧化物导电层TCO)。这种结构给HIT电池带来了效率高、低光衰、温度系数低、双面发电、弱光响应高等多项优势，呈现出来的结果就是，HIT电池具备更高的

示意图资料来源：OFweek行业研究中心 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。图表2
：HIT太阳能电池工艺流程资料来源：OFweek行业研究中心制备的核心工艺是非晶硅薄膜的沉积，其对工艺清洁度要求极高，量产过程中可靠性和可重复性是一大挑战，目前通常用PECVD法制备。 HIT

击穿效应，是半导体器件和光伏电池的主要结构单元。根据PN结内部结构的不同，分为同质结和异质结。HIT电池是由晶硅衬底和非晶硅薄膜构成，因此称为异质结电池。异质结电池最早由日本三洋于1990年研发
异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO

输出功率为初始功率的92%，光衰指标比较好。 2.HJT降本的理论空间较大，具体进展需要再跟踪：HJT电池生产只有四步，清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结
，制备过程只有清洗制绒、PECVD镀本征和掺杂非晶硅薄膜、PVD镀金属导电膜、丝印烧结等步骤(较现行路线少了3-4个步骤)，未来HJT生产也将更智能化，长期降本可能主要集中在耗材、设备上。 REC目前