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N 区，以及背部金属电极的制作。 异质结背接触电池(Heterojunction Back Contact，HBC)：将 HJT 非晶硅薄膜技术应用于 IBC 电池结构，可同时获得高的
沉积，因此还需要在 PERC 产线上增加 LPCVD 和湿法刻蚀设备。 2) HJT 电池由于采用晶硅/非晶硅异质结结构(PN 结由不同材料构成)，最高工艺温度不能超过非晶硅薄膜形成温度(200

磁控溅射工艺在P型非晶硅层上制备ITO材质的第一透明导电层(也就是异质结电池的背面);采用磁控溅射工艺在电子传输层上形成ITO材质的第二透明导电层(也就是钙钛矿电池的正面);以及采用丝网印刷工艺在第一
，对电池的光电转换效率和成本有重要影响。太阳电池技术发展迅速，短短十年间，传统的BSF电池已经成为历史，单晶PERC电池成为主流。异质结和TOPCon有望成为下一代主流电池技术，其金属化工艺仍然基于

近日，经行业权威检测机构检测认证，国家电投中央研究院所属新能源科技有限公司研发的、具有完全自主知识产权的高效晶体硅铜栅线异质结光伏电池(C-HJT)最高量产效率已达24.53%，比国际上异质结
。C-HJT(Copper-Heterojunctionwith intrinsic Thin film)高效晶体硅铜异质结电池是使用N型硅片为衬底，通过真空薄膜沉积工艺在N型硅片正反面分别结合本征

的异质结(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer)，是一种利用晶体硅基板和非晶体薄膜制成的混合型太阳能电池。其以N型单晶硅片为衬底，在硅片正面依次沉积本征
)TOPCon和HJT进入孕育期，期待新的技术红利启动。2020年12月9日泰州中来生产的TOPCon电池量产转换效率已达到24.5%。2020年12月16日，爱康科技第一片异质结电池试样生产正式下线，该

，在首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三节非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛上，捷佳伟创副总经理陈麒麟博士强调，TCO镀膜技术是推动常规异质结迈向高效异质结的关键技术。目前异质结量产

12月23日，首届中国泰兴太阳谷异质结国际论坛暨第三届非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池技术与国际化道路论坛在江苏泰兴举行。论坛以太阳谷高效异质结、全球绿色能源新起点为主题，探讨在新一轮科技革命和

隔离的全铝热壁反应区结构，拥有 4 个独立的 PECVD 模块处理双面异质结工艺，保证非晶硅工艺稳定;电极间距可调，并搭载 RF 快速匹配技术，缩短功率稳定所需时间;采用滚轮式传输结构，保证了
平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而

(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer) 是利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，是结合了薄膜太阳能技术的单晶硅电池。PERC(Passivated
PERC电池，异质结的性价比需要等产业链配套，规模扩大实现成本竞争力。难以判断HJT的性价比何时才能达到甚至反超PERC。 HJT电池成本主要包括自硅料、浆料、折旧和靶材，分别占总成本的47%、24

电池产能接近3GW，但主要参与方当前的规划产能已经超过16GW，具有长期投资价值。 异质结电池全称为本征，同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的
(背面的高低结亦然)。在电池新技术方面，异质结电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光致衰减、温度特性良好、可使用薄硅片、可叠加钙钛矿等多种天然优势

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结
晶体硅太阳能电池是一种同质结电池，即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商标，因此