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「染料敏化太阳能电池（Dye-SensitizedSolarCell；DSSC）」技术，以及目前业界的相关产业链、专利分析与3C产品的应用。太阳能电池的发展，从第一代单晶硅PN半导体形式，到第二代非晶矽
、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池」（DSSC）发展最被看好

（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率15％，AMI时＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。（4）异质结太阳电池即不同半导体材料在一起形成的太阳电池J瞩SnO／Si，In20
、In2O3、（1n2O3＋SnO2）是许多薄膜电他的重要构成部分，作收集电流和窗口材料用。（5）M1S电池是肖特基（MS）电他的改型，即在金属和半导体之间加入1．5一3．0nm绝缘层，使MS电池

、薄膜电池130兆瓦；涌现出赛维、瑞晶、晶科、旭阳雷迪等一批骨干龙头企业。据初步统计，2011年，全省光伏产业实现主营业务收入突破800亿元。专家介绍，光伏行业上游为硅料，中游有硅片、下游则是电池组件
处于国内领先水平，电池转换率保持国内先进水平，国家光伏知识产权信息中心也落户新余，赛维LDK获批组建国家光伏工程技术研究中心从企业看，瑞晶的多晶硅电池光电转换率达16.87%，国内领先；赛维BEST

形式，到第二代非晶矽、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池
无毒，加上可运用印刷技术的简单制程设备，每单位瓦特制造成本仅比矽晶型太阳电池的5~10%，同时DSSC转换效率不受日照角度影响，转换效率随温度上升而增加，有比较佳的累积发电量。矽晶太阳能电池受限于

在2015年实现单晶矽电池效率达到21%、多晶矽电池效率达到19%、非晶矽薄膜电池效率达到12%，并将加大电力储存和电网整合等方面的研发。中国政府成立中国国家可再生能源中心（CNREC）设立可再生能源
%。BP的2011年世界能源调查表明，按照2010年中国的储存和使用量来看，中国在35年后将耗尽煤碳储量，而石油和天然气也仅能支持10年和29年。政府计划把非石化能源的比例从2010年的8.3%提升

计划在2015年实现单晶矽电池效率达到21%、多晶矽电池效率达到19%、非晶矽薄膜电池效率达到12%，并将加大电力储存和电网整合等方面的研发。中国政府成立中国国家可再生能源中心（CNREC）设立
比例为51%。BP的2011年世界能源调查表明，按照2010年中国的储存和使用量来看，中国在35年后将耗尽煤碳储量，而石油和天然气也仅能支持10年和29年。政府计划把非石化能源的比例从2010年的

在建造的宿舍楼及硅晶材料产业园项目（一期）３＃厂房投入的增加；（４）应付票据期末余额比年初余额减少７２．９４％，主要原因是报告期内采购量下降，开出的票据减少；（５）应付职工薪酬期末余额比年初余额减少
比年初余额减少５０．００％，主要原因是将在一年内到期的长期借款转入一年内到期的非流动负债。２、年初至本报告期末，公司损益表及现金流量表项目大幅变动情况及原因分析：单位：元币种：人民币■（１）营业收入

国产化，推动铜铟镓硒薄膜、碲化镉薄膜、染料敏化、非晶/微晶硅叠层和高倍聚光太阳电池的制造技术研发及示范。为保障《专项规划》的科技发展部署，形成有利自主创新的新体制和新机制。科技部将设立计划实施领导小组
发展。预计2015年光伏电价有望降至0.15美元/kWh。《专项规划》还指出我国太阳能产业在硅材料、太阳能电池、生产装备、光伏系统、太阳能光热利用及太阳能测试平台方面与国外相比还有较大差距。并特别指出

实现了非晶柔性薄膜电池的国产化。批量生产后，电池转换效率为6%，通俗地讲，要给一台普通手机充满电，功率为5瓦的太阳能折叠包只需两小时左右。　　柔性薄膜太阳能电池是在柔性衬底上沉积多层半导体薄膜，形成
，由于使用了更薄的衬底材料，公司生产的电池重量只有国外产品的一半；更重要的是，由于设备成本仅为国外企业的20%，并经过多种工艺创新，电池的生产成本降低50%以上。

电流的抑制，如图5所示，藉设置金属氧化物薄膜能予以改善。在负极的铝与整块异质结薄膜间，设置非晶的氧化钛，能抑制从负极空穴的漏泄。这一氧化钛薄膜相对于共轭高分子，作为电子受体功能，不仅有防止逆电流的作用
30%以上。因此，对原料不依赖于单晶硅的非晶硅系列太阳电池进行了开发。紧随非晶硅系列太阳能电池之后的有机太阳能电池，其原料丰富，且价格相对较低，并采用了基本廉价的非真空加工工艺，故这类结构的太阳能电池是

刚性衬底，也可以是不锈钢、塑料等柔性衬底，应用范围广。薄膜电池硅基薄膜太阳电池的劣势1.非晶相的光致衰退效应，造成电池性能稳定性差2.叠层电池结构增大了工艺复杂性和设备成本3.性能提升速度慢，产业化效率
材料成本；2.吸收系数大、光谱响应宽；3.低温（~200C）工艺制备，耗能小；4.单片集成面积大，美观大方；5.弱光响应好，阴天可发电；6.使用寿命长，硅材料本身无毒、无污染；7.衬底既可以是玻璃等

辅材的大幅降价也达到了0.63USD/w左右，不过在整个组件成本中占比反而提高。表4：关键材料价格已大幅下降由于多晶硅目前价格已经低于大部分厂商成本线，难以再大幅下降，未来很难在压缩硅成本方面再有成效，主要依靠硅片、电池片等环节技术进步来提高转换效率、降低非硅成本。表5：未来成本降低主要方向

任丙彦，男，1946年9月出生于河北省宁晋县。1970年毕业于北方交通大学，毕业至今一直从事太阳能光伏发电领域以及半导体材料、微电子与光电子材料的研究与技术开发工作。在河北工业大学任教40余年，从教
期间任半导体材料研究所所长、研究生导师，享受国务院专家特殊津贴。现任晶龙集团副董事长兼首席科学家、晶澳上市公司董事，并在2011年美国召开的材料科学学术交流峰会上被推选为光伏分会执行主席。　　任炳彦与