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等，大幅降低折旧费用；二是公司产业链完整，在晶体硅电池方面成功实现了拉晶-切片-电池片-组件的产业链条，在非晶硅方面实现从石到电的全球最长的产业链，将多个生产环节的利润集于一身。产能建设顺利，业绩多维
：业绩拐点确认，牛股正在归来业绩拐点确认，下半年更好：公司中报扣非后净利润同比增长超过90%，大超市场预期，而随着二季度末公司达到满产，下半年公司毛利率将上升，费用率将下降，我们预计公司全年收入将达到近

降低折旧费用；二是公司产业链完整，在晶体硅电池方面成功实现了拉晶-切片-电池片-组件的产业链条，在非晶硅方面实现从石到电的全球最长的产业链，将多个生产环节的利润集于一身。产能建设顺利，业绩多维增长
更好：公司中报扣非后净利润同比增长超过90%，大超市场预期，而随着二季度末公司达到满产，下半年公司毛利率将上升，费用率将下降，我们预计公司全年收入将达到近34亿元，主营业务净利润将达到约8亿，正如我们5

200兆瓦，被国际专业人士称为LDK速度奇迹。荣获2006年中国新材料产业最具成长性企业称号。目前公司正致力于发展成为一个世界级光伏企业。 2007年6月1日，赛维LDK成功在美国纽约证交所上市
比增加15%，其中93%的收入来源于光伏组件销售，7%的收入来源于光伏系统、电池、硅片和生产设备的销售。第二季度的毛利率约为-10%，非现金库存计提7600万美元，影响经营毛利率达16个百分点，扣除非

技有限责任公司"正式在北京成立。据了解，该公司将成为安泰科技非晶材料业务的运作平台。业内人士表示，打通上下游产业链之后，安泰科技的非晶材料业务有望获得快速发展。三安光电昨日在深圳举办新产品推介会，共推出9款

索比光伏网讯:早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加对入射光的吸收，但该方法均需先单独采用热氧化方法生长一层10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且对多晶效果不理想。SixNy膜层不仅
与后面的丝网印刷技术、电极浆料技术及烧结工艺的配合目前尚处于实验研究阶段，但它肯定是今后的一个发展趋势。匹配封装材料对光谱的折射率定制减反射膜以获得最佳的实际使用效果是光伏" title="光伏新闻

毛利率由去年同期的53.44%下降至28.35%，主要原因一方面是产品销售结构的调整，镀膜玻璃产品销售比例大幅上升，原材料成本增加；另一方面由于受到欧债危机及美国双反影响，光伏市场行情持续低迷，公司下调
了对下游客户产品的销售价格，导致公司产品毛利率有所下降。2.6、亿晶光电上半年归母净利亏损2.79亿元8月27日晚亿晶光电发布2012半年报：上半年实现营业收入8.47亿元，同比降61.41%；实现

28%。只有尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面，如图1所示：(1)光学损失，包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收
方法(1)光陷阱结构。一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片

600-800kg的大型硅锭，从而使单位能耗得以降低。2011年第四季度非晶硅成本已降至每瓦0.64美元，一季度非晶硅成本则降至每瓦0.57美元。今年二季度该公司的目标是将非晶成本降至每瓦0.55美元，到2012年年末则降至每瓦0.50美元以下。到2012年年末，组件总成本将达到每瓦0.60美元左右。

下成膜，薄膜厚度在1m以下，大大降低了成本，这些优点使其大受关注。但是，目前三叠层非晶硅太阳能电池最高的光电转换效率只有13%，作为商用化生产的单层电池转换效率更低，只有6%。而且，由于非晶材料的
低成本高效太阳能电池研制出了分子模板可控制合成材料技术。德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所创造了太阳能电池叠加技术，转换效率是传统硅太阳能电池的两倍，使整个太阳光谱都可用于能源生产。一旦太阳能光伏

，适用于单晶硅、多晶硅、非晶薄膜、染料敏化、有机、III-V族半导体等各种不同类型的太阳能光伏电池。SS1000作为稳态太阳光模拟器，SS1000采用1000W的氙灯来模拟太阳光，经过独特的光路设计
南通爱康太阳能器材有限公司的型材项目（太阳能电池铝边框原材料）的逐步达产，佛山同兴原先靠近原材料产地的优势逐渐淡化，结合目前较为低迷的光伏太阳能市场环境，为提高产能利用率，扩大规模集中优势，降低公司的运营成本

。所以在实际生产过程中，温度并非越高越好。实际沉积过程中，半导体材料自气相向固态载体上沉积时都有最高温度Tmax，当反应温度超过这个温度时，随着温度的升高沉积速率反而下降，各种不同的硅卤化物有不同的
清洗时不易处理干净，杂质和水份残留在多晶硅表面，影响区熔成晶，甚至迫使中断拉晶操作。即使用作直拉料，也会由于杂质玷污，使单晶纯度下降。硅棒表面形态均匀性的根本原因是硅的沉积速度和硅棒表面所能吸收并使之