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，涉及到高效电池、组件以及上游原材料加工。电池方面大族光伏带来兼容210等大尺寸硅片加工的扩散、氧化、退火、镀膜、激光掺杂、激光开膜等高性能装备。谈及高效电池路线的选择，王俊朝指出，当下两大高效电池
掺杂多晶硅沉膜设备即可实现，而HJT电池需要投资全新产线。当前Top-con产线和HJT产线初始投资分别在2亿/GW和4.5亿/GW左右，电池单瓦成本偏高，还需另外进一步提高两款电池的制程掌控能力

衬底隔离的方案减少少子复合，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输
产线设备兼容性较强，以 PERC 产线现有设备改造为主，主要新增设备在非晶硅沉积的 LPCVD/PECVD 设备以及镀膜设备环节。目前 PERC 电池产线单 GW 投资在 1.5-2.0 亿元

冷却技术、高速进出舟技术、高效风道技术等。其应用解决了困扰国内厂家大口径炉管类设备多年难题，显著提升均匀性，有效缩短非工艺操作时间，进而提高设备有效产能。大族光伏装备拥有这些专利技术的完全自主知识产权
。除了用于PERC电池的正背面钝化沉积设备、扩散退火炉、激光掺杂机、激光开槽机、激光无损划裂机等，大族光伏装备不断集合创新技术、高起点地研发TOPCon、HJT等新型电池量产装备，携手核心客户共同发展，迈向新征程，未来致力于为客户提供更有竞争力的电池整线加工解决方案和综合服务。

，薄片化是未来的趋势，现在可以做到100m，现有技术极限是50-80m，应用柔性化技术可以将来做到30m，同时，减少掺杂也是未来的趋势之一。异质结电池技术发展三个重要阶段试水探索期
前面3-4年的培育，①在设备厂商的协同合作下，设备国产化并使得整线投入大幅下降，可与PERC产线成本相比较(一般认可高20%以内);②辅材(低温银浆、靶材等)国产化并形成规模效应，可使非硅成本较大

纳米晶硅/微晶硅是由非晶组分和晶粒共同组成的一种混和相材料。由于其相比非晶硅，内部结构更具有序性，因此具有掺杂效率高、电导率高等特点，同时又具有良好的长波响应特性，可与非晶硅组成叠层结构，提高太阳光
的原理：HJT技术很好地解决了常规电池掺杂层和衬底接触区域的高度载流子复合损失问题。该技术的核心在于，其在P-N结之间插入了本征非晶硅层作为缓冲层，而本征非晶硅层对晶体硅表面有很好的钝化作用，可以大幅

最少5家客户在谈，在送样测试。未来非硅片垂直一体化的企业，都有可能是我们的客户。 5.公司单铸硅片的成本与预计售价成本控制在1.5元以下，158.75的硅片。目前还未形成规模市场销售，谈售价还是
来看3毛2左右的非硅(按照银浆不到6000元/KG计算)，镀铜的是2毛8。银浆对策：几个方式，一是降低银单耗，二是银浆也会降价，三是替代品银包铜，四是莆田也做过电镀铜，完全不用银浆。 9.钧石能源

(包头+乐山)成本也在 3-4-5;老产能，如新特、大全 1 期产能会在 3.5-4.5-5.5;成本下降还是有一定空间，如大硅片应用非硅成本有下降空间，异质结电池的薄片化，硅片厚度可能会从当前
支撑硅料价格在 100 元/kg 以上; 11、颗粒硅：当前名义产能合计在 2 万吨多一点，有效产能更低;目前能满足掺杂使用的要求，未来需求存在不确定性，如 N 型电池对硅料品质要求更高，达到

,降低非硅成本,提高电池效率。除此之外，该技术还可应用在常规网版，降低印刷开口处的网结比率。根据行业经验得，相比于常规网版，无网结网版印刷工艺电池效率可提升0.13%以上 (见表一)。无网
价值。不仅于此，作为光伏行业的专业激光解决方案提供商，大族光伏装备对光伏电池、组件及配套辅材等市场深耕已久。我们将与产业链上下游企业协同创新发展，助力光伏行业再升级。目前激光划裂、PERC开膜、激光掺杂

PERC处于商业化探索阶段，以试验产能为主，产能放量较少;核心设备供应主要为海外厂商，产线投资成本较高。2015-2017年PERC平均转换效率由量产初期的20.4%提升至2017年的21.3%，电池非硅
硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。TOPCon代表企业中来股份12月9日宣布，泰州中来生产的TOPCon电池量产转换效率已达到24.5%。根据PV Infolink数据，全球

平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而
增加、反应温度和直流自偏压降低，能够减小等离子体的离化程度以及轰击效应，且有利于生成更多的反应前驱物，保证了薄膜优质生长，薄膜缺更少、致密性更佳、电导率更高。但是高频场极易导致更多非均匀源的

。采用不含MA的甲脒基钙钛矿(FAPbI3)可以获得热稳定性更好的太阳能电池。在FAPbI3中掺杂Cs+、Rb+等一价阳离子可进一步稳定钙钛矿结构并有效提高器件性能。然而，基于FA体系钙钛矿的效率仍然
薄膜进一步光电性能表征发现，该异质结构能够减少非辐射复合并提高载流子寿命。同时，第一性原理计算表明无机CsPbI3为主的表面使得钙钛矿的肖特基缺陷形成能增加，这使得晶体界表面处缺陷密度降低。以上实验表明

分为工艺设备(半导体掺杂沉积光伏设备、湿法工艺光伏设备等)、自动化设备、配件等其他，今年上半年营收分别为15.57亿元、2.71亿元、0.63亿元，此前均经历了持续的高增长。回顾前几年，由于光伏行业
研究报告显示，捷佳伟创聚焦光伏电池片设备领域，是目前国内唯一一家具备PERC整线供应能力的企业，竞争优势明显。2019年主要产品半导体掺杂沉积光伏设备、湿法工艺光伏设备市占率超50%。持续加大研发投入

在150C以下会翻脸，从光活性的黑相(a相)转变成非光活性的黄相(d相)，造成材料降解及电池性能衰减。虽然通过掺杂混合等方式可以得到室温稳定的a-FAPbI3薄膜，但是在实际工作条件下，材料会出现相分
(FASCN)蒸汽的气相辅助生长技术。该技术能在较低退火温度下(100C)将FAPbI3从黄相完全转化为黑相，并保持长期稳定。非光活性的黄相在MASCN蒸汽或FASCN蒸汽下转换为光活性的黑相

、稳定性两个要点，其中纯度是门槛，而稳定性是杂质问题。如果硅料厂杂质类型和纯度稳定，硅片厂就方便进行掺杂工艺。也有硅料企业认为，旧产线改造N型硅料产能的难度较大，成本需求增加5%，基于目前庞大的硅料产能
，目前异质结电池非硅成本水平大致位于0.6-0.7元/W区间，相对于0.4-0.5元/W的目标仍有一定幅度的差距。就非硅成本的组成而言，异质结电池在低温银浆、设备折旧、靶材耗用等方面均有较大的降本潜力

解决方案： ● DK93T背面副栅导电银浆：更温和、可控的蚀刻能力，良好接触并保护掺杂Poly-Si层，助力100nm Poly-Si设计量产 ● DK81A正、背面主栅导电银浆：非烧穿设计，可定制调整的
，助力高方阻LDSE工艺与无网结印刷技术发展，适配210尺寸大硅片更为严格的工艺窗口与印刷窗口，是推动P型单晶PERC电池实现23%量产转换效率的关键 ● DK81A分步印刷主栅导电银浆：非烧穿

吸收以及减少死层降低复合从而提升转换效率。但是高方阻浅结使得表面薄层电阻增加，尤其对银浆与硅片间的接触电阻形成了巨大的挑战。贺利氏新一代SOL9671B在高掺杂区域100欧姆每方块电阻的电池上相较于
升级，在接触性能提升的同时也能有效减少激光在掺杂工艺中对选择性发射极的损伤，降低复合从而使开路电压得以提升。图5. SOL9671B 展现出更低的金属接触复合 SOL6700B 助力

，Heterojunction with Intrinsic Thin layer)是一种在 P 型氢化非晶硅和 n 型氢化非晶硅与 n 型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。标准
的晶体结构具有不连续性，悬挂键密度高导致缺陷密度大，非晶硅层通过降低表面悬挂键的密度实现优良的界面钝化;2)HIT 电池在单晶硅衬底和掺杂非晶硅薄膜之间插入了一层较薄的本征非晶硅薄膜，使得异质结界面的界面态

后的 PERC 电池提升 1.5%的转换效率，而增量的非硅成本控制在 0.07-0.1 元/W，考虑到异质结组件的发电增益，则异质结电池的增量利润有望高达 0.14-0.17 元，增量利润空
和掺杂非晶硅薄膜环节，理想万里晖提供的 PECVD 设备在备受好评，迈为股份也不断精进其 PERCVD 设备;在沉积 TCO 薄膜环节，钧石能源的 PVD 设备已经入大规模生产应用，捷佳伟创在获得