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瓦靠拢。综合保利协鑫副总裁吕锦标、晋能科技技术总监李高非、隆基股份系统集成总监邓良平的观点，组件功率的提升体现在从材料到工艺的所有环节上。光伏组件的产业链包括：多晶硅、铸锭或拉棒、硅片、电池片、辅材及
生产的环节。包括保利协鑫在内的多家有用铸锭产能的企业在融化和凝固技术上不断进步，虽然对效率提升有所贡献，但无法进行量化。保利协鑫目前将其硅片效率提升的重点放在掺杂中。作为全球最大的单晶硅片供应商，邓良平

片多晶组件270瓦靠拢。综合保利协鑫副总裁吕锦标、晋能科技技术总监李高非、隆基股份系统集成总监邓良平的观点，组件功率的提升体现在从材料到工艺的所有环节上。光伏组件的产业链包括：多晶硅、铸锭或拉棒、硅片
有限，更重要的是硅片生产的环节。包括保利协鑫在内的多家有用铸锭产能的企业在融化和凝固技术上不断进步，虽然对效率提升有所贡献，但无法进行量化。保利协鑫目前将其硅片效率提升的重点放在掺杂中。作为全球最大的

的硅晶电池还是相同的。光电转换电池需要依赖于半导体。半导体以纯物质存在时是绝缘体，但是被加热或和其他材料结合时便能够导电。当半导体材料被混合或掺杂磷后，就有了额外的自由电子，这就是我们所熟知的N型
半导体。当半导体以其他材料掺杂（如硼），就有了额外的空位能够接收电子，这就是P型半导体。薄膜太阳能电池通过一层膜将N型半导体和P型半导体连接起来，这就是连接面。即使在没有光的情况下，少量的电子能够从N型

晶电池还是相同的。光电转换电池需要依赖于半导体。半导体以纯物质存在时是绝缘体，但是被加热或和其他材料结合时便能够导电。当半导体材料被混合或掺杂磷后，就有了额外的自由电子，这就是我们所熟知的N型半导体
。当半导体以其他材料掺杂（如硼），就有了额外的空位能够接收电子，这就是P型半导体。薄膜太阳能电池通过一层膜将N型半导体和P型半导体连接起来，这就是连接面。即使在没有光的情况下，少量的电子能够从N型半导体

-空穴对的复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性
。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就产生了一个由P区指向P+的内建电场，不但可建立一个与光生电压极性相同的内建电场，提高电池的开路电压，还能增加光生

的光反射等都会影响电池的转换效率。总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性）、硅表面的光反射损失以及前
，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。4、增加背场。可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的界面就

复合、硅表面的光反射等都会影响电池的转换效率。总体来说，可将影响晶体硅太阳电池转换效率的因素总结为两大类：光学损失和电学损失。（1）光学损失，包括材料的非吸收损失（即硅材料的光谱响应特性）、硅表面
，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。　　4、增加背场。可通过蒸铝烧结、浓硼或浓磷扩散的工艺在晶体硅电池上制作背场。如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P的结构，在P+/P的

企业技术领袖惊艳亮相，超过600名专家学者行业人士齐聚一堂，会场座无虚席。 3年内单晶硅片与多晶硅片非硅成本一致在上午的大会主题论坛中，详细讲解隆基股份大容量快速拉晶和金刚线切片工艺
、乐叶光伏PERC单晶电池产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高

企业技术领袖惊艳亮相，超过600名专家学者行业人士齐聚一堂，会场座无虚席。3年内单晶硅片与多晶硅片非硅成本一致在上午的大会主题论坛中，详细讲解隆基股份大容量快速拉晶和金刚线切片工艺、乐叶光伏PERC单晶电池
产业化进程及未来2-3年结合MWT、N型工艺进一步提升组件功率的技术实现路径，未来3年内单晶硅片与多晶硅片的非硅成本将趋于一致，结合单晶显著的转换效率优势，将大幅度提高单晶市场份额。　　隆基股份

，背面通过PassDop工艺进行钝化。PassDop工艺包括PECVD沉积磷掺杂非晶SiCx：H层，在钝化层表面激光开槽形成接触点。激光开槽后，在接触点位置磷扩散形成局部背表面场。在硅片背面烝镀铝形成背面
黑硅在很宽的波长范围内具有反射率低、接受角广的优点，在太阳能电池领域倍受关注。本文将黑硅制绒工艺应用到N型硅基体上制备成的太阳电池效率高达18.7%。在N型黑硅表面可以制作高浓度硼掺杂的发射极且不

系统。Octopus II系统可用于HJT电池生产，它有能力在单或多晶硅电池上沉积一层内在掺杂的非晶硅层。INDEOtec 称使用这种工具，已经能够实现超22%的电池效率。Octopus II系统的
优点之一，是它可使薄膜的上部和底部两面都能沉积，无需将电池翻转也不破坏真空。INDEOtec表示Octopus系统减少了不必要的非增值处理步骤，使之适合大批量生产的需要。INDEOtec公司的大部分员工来自现已解散的a-Si设备供应商Oerlikon Solar。

。Terres等人使用飞秒激光器成功制备出黑硅并验证了其转换效率比非制绒硅电池效率高。局部金属催化湿化学腐蚀的方法也可以制作黑硅，电池效率能达到12-14%。反应离子刻蚀（RIE）技术被广泛应用于制备黑硅
多晶硅片是156mm*156mm，P型掺杂，厚度为20020m，电阻率1-3。首先在80℃下，浓度为10%的NaOH溶液中去除硅片表面机械损伤。随后采用不同条件（如表1）的PIII方法制绒。然后所有的硅片

背面采用氧化硅层钝化，局部开孔实现点接触以减少非钝化区域的面积。两者的区别在于是否在开口区域进行局部掺杂扩散，局部扩散增加工艺难度，但会形成局部背电场，减少接触部分的复合速率。但高品质氧化硅的生长需要
，只有与高掺杂的硅才可以接触良好。由于TiO2没有很好的钝化功能，人们在当时并没有过多的考虑钝化。而且由于减反射层在金属电极之上，因此沉积的时候需要用模版遮挡主栅，以便后续的串焊。虽然这一时期，在

照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非
气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射

哈梅林太阳能研究所（ISFH）和汉诺威莱布尼兹大学的电子材料及器件研究所（MBE）已经成功完成CHIP项目。该项目以工业离子注入n型PERT（钝化发射极和背面电池，后共掺杂）太阳能电池来提升电池的
转化效率。在CHIP项目中，植入损伤退火的驱动机制已经通过科学检查，其中特别关注非晶硼和非晶化BFX植入物。由于光伏注入机一般不配备大规模分离器，因此，主要是植入BF2，而不是基本的硼。退火过程处理

p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非
，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术（RIE）是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK（掩膜）再显影出表面织构模型，然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒

网印银浆没有烧穿(Fire-through)这一功能，因此在当时的生产线上，需要先进行网印，而后沉积当时的TiO2减反射层。另一个区别在于当时的银浆与硅形成有效欧姆接触的能力较差，只有与高掺杂的硅才
钝化也非新鲜话题，UNSW早在90年代就提出了发射极和背面钝化(PERC)结构以及发射极和背面钝化局部扩散(PERL)结构，在早期设计中，这两种结构都在背面采用氧化硅层钝化，局部开孔实现点接触以减少非

新技术，提供研发支持的，应当是政府。但汉能却以企业的资金支撑这个业内公认前景不明朗的技术，这当然需要鼓励，但却绝对不能作为自己集团的主营业务的发展方向。作为一个非业内人士，李河君对于薄膜的逆袭式鼓吹，使
自己进行金融创新，才能找到适合自己的最佳模式。这需要我国光伏产业的努力，也需要资本市场的支持和努力。李河君所选择的汉能薄膜光伏这样一条路，从某种角度上，也是一种创新的尝试，只是由于其中掺杂了一些不应该

，道理和缺陷相同。暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大能说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，有存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致
注入，电注入激发出非平衡载流子，电压越大激发的非平衡载流子越多，形成的暗电流越大，暗电流的增长速度随电压越大而变慢，直到片子被击穿。一般我们测试暗电流的标准电压为12V，测得的曲线和标准的曲线相比后